Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2018, том 107, выпуск 12, страницы 819–822
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X18120123
(Mi jetpl5658)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях

В. Т. Долгополовa, М. Ю. Мельниковa, А. А. Шашкинa, С. Х. Хвангbc, Ц. В. Лиуbc, С. В. Кравченкоd

a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Department of Electrical Engineering and Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, 106 Taipei, Taiwan
c National Nano Device Laboratories, 300 Hsinchu, Taiwan
d Physics Department, Northeastern University, Boston, 02115 Massachusetts, USA
Список литературы:
Аннотация: Экспериментально исследован дробный квантовый эффект Холла в электронной системе квантовых ям SiGe/Si/SiGe в относительно слабых квантующих магнитных полях. Исследованная электронная система интересна тем, что в ней кулоновское взаимодействие между электронами в разы превышает циклотронную энергию исходных частиц. Обнаружены серии минимумов продольного магнитосопротивления, описываемые на языке композитных фермионов с квантовыми номерами $p=1;2;3;4$. Минимумы с $p=3$ исчезают в магнитном поле ниже $7\,T$, что может быть связано с пересечением (или даже слиянием) квантовых уровней композитных фермионов. Предположение о пересечении уровней с разной ориентацией спина требует наличия аномально малого $g$ фактора у композитных фермионов. Более вероятно, что пересекаются уровни с разной ориентацией псевдоспина, то есть уровни композитных фермионов из различных долин. Мы также наблюдали минимумы продольного магнитосопротивления при факторах заполнения $\nu = 4/5$ и $4/11$, что может быть обусловлено образованием композитных фермионов второго поколения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00368_а
16-02-00404_а
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Ministry of Science and Technology, Taiwan 106-2221-E-002-197-MY3
106-2221-E-002-232-MY3
106-2622-8-002-001
National Science Foundation 1309337
United States - Israel Binational Science Foundation (BSF) 2012210
Работа в России поддержана грантами РФФИ # 18-02-00368, 16-02-00404 и грантами РАН. Группа Национального университета Тайваня поддержана MOST, Тайвань проектами 106-2221-E-002-197-MY3, 106-2221-E-002-232-MY3, 106-2622-8-002-001. SVK поддержан NSF, грант 1309337 и BSF грант 2012210.
Поступила в редакцию: 16.05.2018
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, Volume 107, Issue 12, Pages 794–797
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364018120019
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Т. Долгополов, М. Ю. Мельников, А. А. Шашкин, С. Х. Хванг, Ц. В. Лиу, С. В. Кравченко, “Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018), 819–822; JETP Letters, 107:12 (2018), 794–797
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DolMelSha18}
\by В.~Т.~Долгополов, М.~Ю.~Мельников, А.~А.~Шашкин, С.~Х.~Хванг, Ц.~В.~Лиу, С.~В.~Кравченко
\paper Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 107
\issue 12
\pages 819--822
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5658}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X18120123}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35101982}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 107
\issue 12
\pages 794--797
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018120019}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000443019300012}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35726392}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85048567066}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5658
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i12/p819
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:138
    PDF полного текста:33
    Список литературы:23
    Первая страница:4
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024