|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях
В. Т. Долгополовa, М. Ю. Мельниковa, А. А. Шашкинa, С. Х. Хвангbc, Ц. В. Лиуbc, С. В. Кравченкоd a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Department of Electrical Engineering and Graduate Institute of Electronics Engineering,
National Taiwan University, 106 Taipei, Taiwan
c National Nano Device Laboratories, 300 Hsinchu, Taiwan
d Physics Department, Northeastern University, Boston, 02115 Massachusetts, USA
Аннотация:
Экспериментально исследован дробный квантовый эффект Холла в электронной системе квантовых ям SiGe/Si/SiGe в относительно слабых квантующих магнитных полях. Исследованная электронная система интересна тем, что в ней кулоновское взаимодействие между электронами в разы превышает циклотронную энергию исходных частиц. Обнаружены серии минимумов продольного магнитосопротивления, описываемые на языке композитных фермионов с квантовыми номерами $p=1;2;3;4$. Минимумы с $p=3$ исчезают в магнитном поле ниже $7\,T$, что может быть связано с пересечением (или даже слиянием) квантовых уровней композитных фермионов. Предположение о пересечении уровней с разной ориентацией спина требует наличия аномально малого $g$ фактора у композитных фермионов. Более вероятно, что пересекаются уровни с разной ориентацией псевдоспина, то есть уровни композитных фермионов из различных долин. Мы также наблюдали минимумы продольного магнитосопротивления при факторах заполнения $\nu = 4/5$ и $4/11$, что может быть обусловлено образованием композитных фермионов второго поколения.
Поступила в редакцию: 16.05.2018
Образец цитирования:
В. Т. Долгополов, М. Ю. Мельников, А. А. Шашкин, С. Х. Хванг, Ц. В. Лиу, С. В. Кравченко, “Дробный квантовый эффект Холла в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe в слабых квантующих магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 107:12 (2018), 819–822; JETP Letters, 107:12 (2018), 794–797
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5658 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i12/p819
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 147 | PDF полного текста: | 46 | Список литературы: | 34 | Первая страница: | 4 |
|