Интерференция баллистических электронов в открытой квантовой точке при высокой температуре

Исследованы осцилляции типа Ааронова–Бома в баллистической магнитопроводимости открытой квантовой точки размером $\sim1$ мкм, созданной в гетероструктуре GaAs/AlGaAs с помощью локального анодного оксидирования. Измерения проведены при температурах 4.2 и 1.5 К, достаточно высоких, чтобы ожидать существенного подавления осцилляций периодом $h/e$ (в единицах магнитного потока). При температуре 1.5 К в магнитопроводимости наблюдаются периодичные по полю осцилляции периодом меньше кванта $h/e$. Предложено объяснение на основе интерференции электронов, движущихся по вписанным в квантовую точку обращенным по времени путям с началом и концом у одного из контактов, что отвечает периоду $h/2e$.