|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Ю. Б. Болховитянов, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, “Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001)”, Физика твердого тела, 61:2 (2019), 284–287   ; Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, L. V. Sokolov, “Forming dislocation pairs in the Ge/GeSi/Si(001) heterostructure”, Phys. Solid State, 61:2 (2019), 145–148 |
|
2008 |
| 2. |
Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, “Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок”, УФН, 178:5 (2008), 459–480 ; Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, “GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering”, Phys. Usp., 51:5 (2008), 437–456   |
252
|
|
2001 |
| 3. |
Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, С. И. Чикичев, “Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур”, УФН, 171:7 (2001), 689–715 ; Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, S. I. Chikichev, “Silicon – germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures”, Phys. Usp., 44:7 (2001), 655–680 |
64
|
|
1990 |
| 4. |
Н. С. Рудая, Ю. Б. Болховитянов, К. С. Журавлев, О. А. Шегай, Н. А. Якушева, “Высокочистый $p$-GaAs, выращенный из раствора GaAs в Bi,
легированного иттербием”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990), 37–40 |
| 5. |
Ю. Б. Болховитянов, Б. В. Морозов, А. Г. Паулиш, А. С. Суранов, А. С. Терехов, Е. Х. Xайри, С. В. Шевелев, “Полупрозрачный арсенидгаллиевый фотокатод на стекле
с чувствительностью до 1700 мкА/лм”, Письма в ЖТФ, 16:7 (1990), 25–29 |
|
1989 |
| 6. |
Ю. Б. Болховитянов, Л. М. Логвинский, Н. С. Рудая, “Особенности формирования твердой фазы при контактной смене растворов:
рост GaAs на поверхности AlGaAs”, ЖТФ, 59:8 (1989), 57–63 |
| 7. |
Ю. Б. Болховитянов, Л. М. Логвинский, Н. С. Рудая, “Переходные слои в гетероструктурах
AlGaAs/GaAs, выращиваемых путем контактной смены растворов”, ЖТФ, 59:3 (1989), 178–185 |
|
1986 |
| 8. |
Ю. Б. Болховитянов, Р. И. Болховитянова, Ю. Д. Ваулин, Б. З. Ольшанецкий, “О природе разделительного слоя AlGaAs на поверхности GaAs при ее
изотермическом контакте с жидкой фазой
Al$-$Ga$-$As”, ЖТФ, 56:3 (1986), 601–603 |
| 9. |
В. Я. Принц, Е. Х. Хайри, В. А. Самойлов, Ю. Б. Болховитянов, “Глубокий уровень, вводимый в GaAs легированием изовалентной
примесью Sb”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1392–1395 |
|
Обратная связь: