|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
1. |
Л. А. Cокура, Я. А. Пархоменко, К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, “Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1146–1150 ; L. A. Sokura, Ya. A. Parkhomenko, K. D. Moiseev, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, “InSb quantum dots produced by liquid-phase epitaxy on InGaAsSb/GaSb substrates”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1101–1105 |
8
|
|
2016 |
2. |
Я. А. Пархоменко, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев, “Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 993–996 ; Ya. A. Parkhomenko, P. A. Dementev, K. D. Moiseev, “Quantum dots grown in the InSb/GaSb system by liquid-phase epitaxy”, Semiconductors, 50:7 (2016), 976–979 |
5
|
|