|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
В. А. Тарала, А. С. Алтахов, М. Г. Амбарцумов, В. Я. Мартенс, “Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 67–73   ; V. A. Tarala, A. Altakhov, M. G. Ambartsumov, V. Ya. Martens, “Growing oriented AlN films on sapphire substrates by plasma-enhanced atomic layer deposition”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 74–77 |
4
|
|
2016 |
| 2. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 1–8 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. A. Tarala, Yu. G. Shreter, “The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1099–1102 |
5
|
| 3. |
А. С. Алтахов, Р. И. Горбунов, Л. А. Кашарина, Ф. Е. Латышев, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Буферные слои аморфного углерода для отделения свободных пленок нитрида галлия”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 32–38 ; A. Altakhov, R. I. Gorbunov, L. A. Kasharina, F. E. Latyshev, V. A. Tarala, Yu. G. Shreter, “Amorphous carbon buffer layers for separating free gallium nitride films”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1076–1078 |
4
|
|
Обратная связь: