Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения

Исследована возможность использования метода плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения для выращивания ориентированных пленок AlN на подложках Al$_{2}$O$_{3}$ при температурах менее 300$^\circ$C. Проведены исследования образцов методами рентгенофазового анализа и эллипсометрии. Показано, что при длительностях плазменной экспозиции боле 20 s осаждаются пленки, обладающие показателем преломления, равным 2.03 $\pm$ 0.03. На рентгенограммах этих образцов присутствуют рефлексы (0002) и (0004) при углах 2$\Theta$, равных 35.7$^\circ$ и 75.9$^\circ$, характерные для гексагонального политипа AlN. У наилучшего образца для рефлекса (0002) ширина кривой качания на полувысоте интенсивности (FWHM) составила порядка 162 $\pm$ 11 arcsec.