|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Г. П. Пархоменко, М. Н. Солован, П. Д. Марьянчук, “Электрические свойства гетероструктур $p$-NiO/$n$-Si на основе наноструктурированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 718–722   ; H. P. Parkhomenko, M. N. Solovan, P. D. Mar'yanchuk, “Electrical properties of $p$-NiO/$n$-Si heterostructures based on nanostructured silicon”, Semiconductors, 52:7 (2018), 859–863 |
12
|
|
2017 |
| 2. |
Г. П. Пархоменко, М. Н. Солован, А. И. Мостовой, К. С. Ульяницкий, П. Д. Марьянчук, “Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 358–362 ; H. P. Parkhomenko, M. N. Solovan, A. I. Mostovyi, K. S. Ulyanytsky, P. D. Mar'yanchuk, “Temperature dependences of the electrical parameters of anisotype NiO/CdTe heterojunctions”, Semiconductors, 51:3 (2017), 344–348 |
8
|
|
Обратная связь: