Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 358–362
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44207.8360 (Mi phts6209) 		 
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe

Г. П. Пархоменко, М. Н. Солован, А. И. Мостовой, К. С. Ульяницкий, П. Д. Марьянчук

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
PDF полного текста (258 kB) Список цитирования (8)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44207.8360
Аннотация: Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационно-рекомбинационный и туннельный, а при обратных – туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода $V_{oc}$ = 0.26 В и ток короткого замыкания $I_{sc}$ = 58.7 мкА/см$^{2}$ при интенсивности освещения 80 мВт/см$^{2}$.
Поступила в редакцию: 28.06.2016
Принята в печать: 20.07.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 344–348
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617030216
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. П. Пархоменко, М. Н. Солован, А. И. Мостовой, К. С. Ульяницкий, П. Д. Марьянчук, “Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 358–362; Semiconductors, 51:3 (2017), 344–348
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ParSolMos17}
\by Г.~П.~Пархоменко, М.~Н.~Солован, А.~И.~Мостовой, К.~С.~Ульяницкий, П.~Д.~Марьянчук
\paper Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 358--362
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6209}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44207.8360}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006027}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 344--348
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617030216}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6209
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p358
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024