|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe
Г. П. Пархоменко, М. Н. Солован, А. И. Мостовой, К. С. Ульяницкий, П. Д. Марьянчук Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
Аннотация:
Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационно-рекомбинационный и туннельный, а при обратных – туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода $V_{oc}$ = 0.26 В и ток короткого замыкания $I_{sc}$ = 58.7 мкА/см$^{2}$ при интенсивности освещения 80 мВт/см$^{2}$.
Поступила в редакцию: 28.06.2016 Принята в печать: 20.07.2016
Образец цитирования:
Г. П. Пархоменко, М. Н. Солован, А. И. Мостовой, К. С. Ульяницкий, П. Д. Марьянчук, “Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 358–362; Semiconductors, 51:3 (2017), 344–348
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6209 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p358
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 9 |
|