Электрические свойства гетероструктур $p$-NiO/$n$-Si на основе наноструктурированного кремния

Методом химического травления сформированы кремниевые нанопроволоки на подложках $n$-Si. Изготовлены гетероструктуры $p$-NiO/$n$-Si методом реактивного магнетронного напыления. Построена энергетическая диаграмма исследуемых анизотипных гетероструктур $p$-NiO/$n$-Si в соответствии с моделью Андерсона. Измерены и проанализированы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Установлены основные механизмы токопереноса через гетеропереход $p$-NiO/$n$-Si при прямых и обратных смещениях.