|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Н. А. Борщ, С. И. Курганский, “Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba–Zn–Si–Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 299–303   ; N. A. Borshch, S. I. Kurganskii, “Electronic structure of four-element clathrates of the Ba–Zn–Si–Ge system”, Semiconductors, 52:3 (2018), 282–286 |
2
|
|
2016 |
| 2. |
Н. А. Борщ, “Электронная структура Pt-замещенных клатратных силицидов Ba$_{8}$Pt$_{x}$Si$_{46-x}$ ($x$ = 4–6)”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 433–437 ; N. A. Borshch, “Electronic structure of Pt-substituted clathrate silicides Ba$_{8}$Pt$_{x}$Si$_{46-x}$ ($x$ = 4–6)”, Semiconductors, 50:4 (2016), 427–431 |
1
|
|
Обратная связь: