Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 299–303
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45612.8615a (Mi phts5888) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba–Zn–Si–Ge

Н. А. Борщa, С. И. Курганскийb

a Воронежский государственный технический университет
b Воронежский государственный университет
PDF полного текста (470 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45612.8615a
Аннотация: Представлены результаты расчета электронной структуры четырехкомпонентных клатратных кристаллов на основе кремния и германия. Расчет проводился методом линеаризованных присоединенных плоских волн. Анализ результатов расчета позволил установить зависимость свойств кристаллов от соотношения числа атомов кремния и германия в элементарной ячейке, а также от положения замещающих атомов цинка.
Поступила в редакцию: 19.04.2017
Принята в печать: 31.08.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 282–286
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030089
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Борщ, С. И. Курганский, “Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba–Zn–Si–Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 299–303; Semiconductors, 52:3 (2018), 282–286
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BorKur18}
\by Н.~А.~Борщ, С.~И.~Курганский
\paper Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba--Zn--Si--Ge
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 299--303
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5888}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45612.8615a}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739679}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 282--286
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030089}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5888
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p299
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025