|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba–Zn–Si–Ge
Н. А. Борщa, С. И. Курганскийb a Воронежский государственный технический университет
b Воронежский государственный университет
Аннотация:
Представлены результаты расчета электронной структуры четырехкомпонентных клатратных кристаллов на основе кремния и германия. Расчет проводился методом линеаризованных присоединенных плоских волн. Анализ результатов расчета позволил установить зависимость свойств кристаллов от соотношения числа атомов кремния и германия в элементарной ячейке, а также от положения замещающих атомов цинка.
Поступила в редакцию: 19.04.2017 Принята в печать: 31.08.2017
Образец цитирования:
Н. А. Борщ, С. И. Курганский, “Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba–Zn–Si–Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 299–303; Semiconductors, 52:3 (2018), 282–286
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5888 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p299
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 14 |
|