Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 4, страницы 433–437 (Mi phts6480)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Электронная структура Pt-замещенных клатратных силицидов Ba$_{8}$Pt$_{x}$Si$_{46-x}$ ($x$ = 4–6)

Н. А. Борщ

Воронежский государственный технический университет
PDF полного текста (307 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Представлены результаты расчета электронного строения Pt-замещенных клатратов на основе кремния. Расчет проводился методом линеаризованных присоединенных плоских волн. Анализируется влияние числа замещений и их кристаллографической позиции в элементарной ячейке на электронно-энергетический спектр и электронные свойства Pt-замещенных клатратов.
Поступила в редакцию: 14.09.2015
Принята в печать: 21.09.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 4, Pages 427–431
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616040096
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Борщ, “Электронная структура Pt-замещенных клатратных силицидов Ba$_{8}$Pt$_{x}$Si$_{46-x}$ ($x$ = 4–6)”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 433–437; Semiconductors, 50:4 (2016), 427–431
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bor16}
\by Н.~А.~Борщ
\paper Электронная структура Pt-замещенных клатратных силицидов Ba$_{8}$Pt$_{x}$Si$_{46-x}$ ($x$ = 4--6)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 4
\pages 433--437
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6480}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668225 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 4
\pages 427--431
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616040096}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6480
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i4/p433
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024