|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
М. Н. Солован, Г. О. Андрущак, А. И. Мостовой, Т. Т. Ковалюк, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, “Диоды Шоттки графит/$p$-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 248–253   ; M. N. Solovan, G. O. Andrushchak, A. I. Mostovyi, T. T. Kovaliuk, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, “Graphite/$p$-SiC Schottky diodes prepared by transferring drawn graphite films onto SiC”, Semiconductors, 52:2 (2018), 236–241 |
4
|
|
2017 |
| 2. |
М. Н. Солован, А. И. Мостовой, С. В. Биличук, F. Pinna, Т. Т. Ковалюк, В. В. Брус, Э. В. Майструк, И. Г. Орлецкий, П. Д. Марьянчук, “Структурные и оптические свойства пленок Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$, полученных методом магнетронного распыления мишени из сплава Cu$_{2}$ZnSn”, Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1619–1623 ; M. N. Solovan, A. I. Mostovyi, S. V. Bilichuk, F. Pinna, T. T. Kovaliuk, V. V. Brus, E. V. Maistruk, I. G. Orletskii, P. D. Mar'yanchuk, “Structural and optical properties of Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$ films obtained by magnetron sputtering of a Cu$_{2}$ZnSn alloy target”, Phys. Solid State, 59:8 (2017), 1643–1647 |
4
|
| 3. |
M. M. Solovan, V. V. Brus, A. I. Mostovyi, P. D. Mar'yanchuk, I. G. Orletskyi, T. T. Kovaliuk, S. L. Abashin, “Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 569 ; Semiconductors, 51:4 (2017), 542–548 |
1
|
| 4. |
Г. П. Пархоменко, М. Н. Солован, А. И. Мостовой, К. С. Ульяницкий, П. Д. Марьянчук, “Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 358–362 ; H. P. Parkhomenko, M. N. Solovan, A. I. Mostovyi, K. S. Ulyanytsky, P. D. Mar'yanchuk, “Temperature dependences of the electrical parameters of anisotype NiO/CdTe heterojunctions”, Semiconductors, 51:3 (2017), 344–348 |
8
|
|
2016 |
| 5. |
М. Н. Солован, А. И. Мостовой, В. В. Брус, Э. В. Майструк, П. Д. Марьянчук, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1041–1046 ; M. N. Solovan, A. I. Mostovyi, V. V. Brus, E. V. Maistruk, P. D. Mar'yanchuk, “Electrical and photoelectric properties of $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$ heterostructures”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1020–1024 |
3
|
|
Обратная связь: