Диоды Шоттки графит/$p$-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC

Изготовлены диоды Шоттки графит/$p$-SiC методом переноса нарисованной пленки графита на подложку монокристаллического $p$-SiC. Измерены вольт-амперные (при различных температурах) и вольт-фарадные характеристики. Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последовательного сопротивления диода Шоттки графит/$p$-SiC. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях. Установлено, что основными механизмами токопереноса через диод Шоттки графит/$p$-SiC при прямых смещениях являются многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм и туннелирование, которое описывается формулой Ньюмена (при больших смещениях). При обратных смещениях – эмиссия Френкеля–Пулла и туннельный механизм токопереноса. Показано, что диод Шоттки графит/$p$-SiC можно использовать в качестве детекторов ультрафиолетового излучения, поскольку он имеет напряжение холостого хода $V_{\operatorname{oc}}$ = 1.84 В и ток короткого замыкания $I_{\operatorname{sc}}$ = 2.9 мА/см$^{2}$ при освещении ртутно-кварцевой лампой ДРЛ 250-3, которая находилась на расстоянии 3 см от образца.