|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Е. А. Емельянов, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, М. Ю. Есин, И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, М. А. Путято, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, “Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 512–519   ; E. A. Emelyanov, A. V. Vasev, B. R. Semyagin, M. Yu. Yesin, I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, M. A. Putyato, M. O. Petrushkov, V. V. Preobrazhenskii, “The growth of InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ solid solutions on miscuted GaAs(001) substrates by molecular-beam epitaxy method”, Semiconductors, 53:4 (2019), 503–510 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. О. Петрушков, М. А. Путято, “Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 19–27 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, “X-ray diffraction analysis of epitaxial layers with the properties of a dislocation filter”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 562–565 |
|
2017 |
| 3. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. А. Путято, М. Ю. Есин, М. О. Петрушков, “Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)”, Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 64–71 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. A. Putyato, M. Yu. Yesin, M. O. Petrushkov, “The structural state of epitaxial GaP films of different polarities grown on misoriented Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 213–215 |
3
|
|
Обратная связь: