Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)

С использованием метода рентгеновской дифрактометрии исследована структура пленок GaP, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальных подложках Si(1113). Установлено, что кристаллическая решетка псевдоморфной пленки поворачивается вокруг $\langle$110$\rangle$ в сторону увеличения отклонения от сингулярной ориентации. В процессе релаксации происходит поворот в противоположную сторону. Это справедливо для пленок обеих полярностей: (001) и (00$\bar1$). Установлены отличия морфологии поверхности релаксированной и псевдоморфной пленок GaP.