|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. А. Путято, М. Ю. Есин, М. О. Петрушков Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
С использованием метода рентгеновской дифрактометрии исследована структура пленок GaP, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальных подложках Si(1113). Установлено, что кристаллическая решетка псевдоморфной пленки поворачивается вокруг $\langle$110$\rangle$ в сторону увеличения отклонения от сингулярной ориентации. В процессе релаксации происходит поворот в противоположную сторону. Это справедливо для пленок обеих полярностей: (001) и (00$\bar1$). Установлены отличия морфологии поверхности релаксированной и псевдоморфной пленок GaP.
Поступила в редакцию: 26.09.2016
Образец цитирования:
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. А. Путято, М. Ю. Есин, М. О. Петрушков, “Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)”, Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 64–71; Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 213–215
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5992 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i4/p64
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 14 |
|