|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Создание и исследования структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 422–426   ; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “Creation and investigation of metal–dielectric–semiconductor structures based on ferroelectric films”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 480–484 |
|
2019 |
| 2. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства пленок BST 80/20”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1948–1952 ; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “The effect of synthesis temperature on the microstructure and electrophysical properties of BST 80/20 films”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1910–1914 |
4
|
| 3. |
Е. И. Гольдман, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Особенности характеристик устойчивых к полевым повреждениям структур кремний–сверхтонкий окисел–поликремний”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 481–484 ; E. I. Goldman, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Features of the characteristics of field-resistant silicon–ultrathin oxide–polysilicon structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 465–468 |
6
|
| 4. |
Е. И. Гольдман, Н. Ф. Кухарская, С. А. Левашов, Г. В. Чучева, “Определение параметров структур металл–диэлектрик–полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем из высокочастотных вольт-фарадных характеристик”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 46–49 ; E. I. Goldman, N. F. Kuharskaya, S. A. Levashov, G. V. Chucheva, “Determination of the parameters of metal–insulator–semiconductor structures with ultrathin insulating layer from high-frequency capacitance–voltage measurements”, Semiconductors, 53:1 (2019), 42–45 |
6
|
|
2018 |
| 5. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, В. А. Лузанов, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 951–954 ; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, V. A. Luzanov, A. E. Nabiyev, V. G. Naryshkina, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “The influence of the substrate material on the structure and electrophysical properties of Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$ thin films”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 954–957 |
3
|
|
2017 |
| 6. |
Е. И. Гольдман, С. А. Левашов, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний–сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл–окисел–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1185–1188 ; E. I. Goldman, S. A. Levashov, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Generation of surface electron states with a silicon–ultrathin-oxide interface under the field-induced damage of metal–oxide–semiconductor structures”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1136–1140 |
9
|
|
2013 |
| 7. |
М. С. Афанасьев, С. А. Левашов, А. Ю. Митягин, Г. В. Чучева, А. Э. Набиев, “Расчёт теплофизических параметров и технология формирования МПЛ СВЧ диапазона”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013), 9–12 |
|
2012 |
| 8. |
Г. В. Чучева, М. С. Афанасьев, И. А. Анисимов, А. И. Георгиева, С. А. Левашов, А. Э. Набиев, “Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 12:2 (2012), 8–11 |
|
Обратная связь: