|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Ю. М. Басалаев, А. Б. Гордиенко, “Электронная структура кристаллов Be-IV-P$_{2}$ с решеткой халькопирита”, Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1799–1806   ; Yu. M. Basalaev, A. B. Gordienko, “Electronic structure of Be–IV–P$_2$ crystals with chalcopyrite lattice”, Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2016–2023 |
6
|
|
2018 |
| 2. |
Ю. М. Басалаев, “Первопринципное исследование полупроводника ZnSnSb$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1608–1613 ; Yu. M. Basalaev, “Ab initio study of the ZnSnSb$_2$ semiconductor”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1715–1720 |
3
|
|
2017 |
| 3. |
Ю. М. Басалаев, А. В. Копытов, А. С. Поплавной, Ю. И. Полыгалов, “Первопринципное исследование электронного и колебательного строений тетрагонального диарсенида кадмия”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 815–820 ; Yu. M. Basalaev, A. V. Kopytov, A. S. Poplavnoi, Yu. I. Polygalov, “Ab initio study of the electronic and vibrational structures of tetragonal cadmium diarsenide”, Semiconductors, 51:6 (2017), 783–788 |
5
|
| 4. |
Ю. М. Басалаев, Е. Н. Малышева, “Электронное строение монослойных сверхрешеток (GeC)$_{1}$(SiC)$_{1}$, (SnC)$_{1}$(SiC)$_{1}$ и (SnC)$_{1}$(GeC)$_{1}$”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 647–650 ; Yu. M. Basalaev, E. N. Malysheva, “Electronic structure of single-layer superlattices (GeC)$_{1}$(SiC)$_{1}$, (SnC)$_{1}$(SiC)$_{1}$, and (SnC)$_{1}$(GeC)$_{1}$”, Semiconductors, 51:5 (2017), 617–620 |
3
|
|
Обратная связь: