Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 815–820
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44562.8434
(Mi phts6140)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Первопринципное исследование электронного и колебательного строений тетрагонального диарсенида кадмия

Ю. М. Басалаев, А. В. Копытов, А. С. Поплавной, Ю. И. Полыгалов

Кемеровский государственный университет
Аннотация: Электронный спектр, деформационная электронная плотность и фононные частоты в центре зоны Бриллюэна тетрагонального соединения CdAs$_{2}$ вычислены из первых принципов на основе метода функционала плотности. Установлено, что кристалл является непрямозонным с шириной запрещенной зоны $\sim$1 эВ, что хорошо согласуется с известными оптическими и электрофизическими экспериментальными данными. Изучены особенности образования химической связи в кристалле, обусловленные тем, что атомы мышьяка образуют спиральные цепочки из ковалентных связей As–As, тогда как связь Cd–As является ионно-ковалентной. Вычисленные из первых принципов и в модели Китинга фононные частоты сопоставлены между собой и с экспериментом, выполнен анализ парциональных вкладов атомов Cd и As.
Поступила в редакцию: 18.10.2016
Принята в печать: 15.11.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 783–788
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060057
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. М. Басалаев, А. В. Копытов, А. С. Поплавной, Ю. И. Полыгалов, “Первопринципное исследование электронного и колебательного строений тетрагонального диарсенида кадмия”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 815–820; Semiconductors, 51:6 (2017), 783–788
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BasKopPop17}
\by Ю.~М.~Басалаев, А.~В.~Копытов, А.~С.~Поплавной, Ю.~И.~Полыгалов
\paper Первопринципное исследование электронного и колебательного строений тетрагонального диарсенида кадмия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 815--820
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6140}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44562.8434}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404950}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 783--788
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060057}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6140
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p815
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024