Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 647–650
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44422.8357 (Mi phts6160) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электронное строение монослойных сверхрешеток (GeC)$_{1}$(SiC)$_{1}$, (SnC)$_{1}$(SiC)$_{1}$ и (SnC)$_{1}$(GeC)$_{1}$

Ю. М. Басалаевa, Е. Н. Малышеваb

a Кемеровский государственный университет
b Кемеровский государственный институт культуры
PDF полного текста (192 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44422.8357
Аннотация: В рамках теории функционала плотности проведено моделирование кристаллической структуры и электронного строения кристаллов GeC, SiC, SnC и сверхрешеток на их основе: GeC/SiC, SnC/SiC, SnC/GeC. Получены равновесные постоянные кристаллических решеток, вычислены зонные спектры, плотности состояний и изучены особенности формирования валентной зоны и химической связи в рассматриваемых кристаллах и сверхрешетках.
Поступила в редакцию: 20.10.2016
Принята в печать: 28.09.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 617–620
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050050
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. М. Басалаев, Е. Н. Малышева, “Электронное строение монослойных сверхрешеток (GeC)$_{1}$(SiC)$_{1}$, (SnC)$_{1}$(SiC)$_{1}$ и (SnC)$_{1}$(GeC)$_{1}$”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 647–650; Semiconductors, 51:5 (2017), 617–620
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BasMal17}
\by Ю.~М.~Басалаев, Е.~Н.~Малышева
\paper Электронное строение монослойных сверхрешеток (GeC)$_{1}$(SiC)$_{1}$, (SnC)$_{1}$(SiC)$_{1}$ и (SnC)$_{1}$(GeC)$_{1}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 647--650
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6160}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44422.8357}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404917}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 617--620
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050050}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6160
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p647
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024