|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. В. Болотов, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Росликов, “Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 504–509   ; V. V. Bolotov, K. E. Ivlev, E. V. Knyazev, I. V. Ponomareva, V. E. Roslikov, “Formation of multilayer structures with integrated membranes based on porous silicon”, Semiconductors, 54:5 (2020), 609–613 |
5
|
|
2017 |
| 2. |
В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Кан, Н. А. Давлеткильдеев, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов, “Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах “пористый кремний-на-изоляторе””, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 51–55 ; V. V. Bolotov, E. V. Knyazev, I. V. Ponomareva, V. E. Kan, N. A. Davletkildeev, K. E. Ivlev, V. E. Roslikov, “Formation and properties of the buried isolating silicon-dioxide layer in double-layer “porous silicon-on-insulator” structures”, Semiconductors, 51:1 (2017), 49–53 |
2
|
|
Обратная связь: