Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 5, страницы 504–509
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49269.9340 (Mi phts5236) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния

В. В. Болотов, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Росликов

Омский научный центр СО РАН
PDF полного текста (923 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49269.9340
Аннотация: Получены многослойные интегрированные пористые мембраны в монолитном обрамлении, содержащие пористый кремний двух типов: макропористый с диаметрами пор до 10 мкм, канальный с диаметрами каналов от 100 до 300 нм. Предложена лабораторная технология получения двухслойных структур макропористый/канальный кремний с использованием подложек высокоомного $n$-Si (1 Ом $\cdot$ см). Обсуждается механизм порообразования и его влияние на морфологию пористых слоев для электролитов с использованием муравьиной кислоты и гидроксида аммония.
Ключевые слова: пористый кремний, электрохимическое травление, электронная микроскопия, многослойные структуры, мембраны.
Финансовая поддержка Номер гранта
Программа ФНИ ГАН на 2013--2020 годы АААА-А17-117041210227-8
Работа выполнена по государственному заданию Омского научного центра СО РАН в соответствии с Программой ФНИ ГАН на 2013–2020 годы (номер государственной регистрации проекта в системе ЕГИСУ НИОКТР АААА-А17-117041210227-8). В работе было использовано оборудование Омского регионального центра коллективного пользования СО РАН.
Поступила в редакцию: 24.12.2019
Исправленный вариант: 28.12.2019
Принята в печать: 30.12.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 5, Pages 609–613
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620050024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Болотов, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Росликов, “Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 504–509; Semiconductors, 54:5 (2020), 609–613
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BolIvlKny20}
\by В.~В.~Болотов, К.~Е.~Ивлев, Е.~В.~Князев, И.~В.~Пономарева, В.~Е.~Росликов
\paper Формирование многослойных структур с интегрированными мембранами на основе пористого кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 504--509
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5236}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.05.49269.9340}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42906066}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 5
\pages 609--613
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620050024}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5236
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i5/p504
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024