|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах “пористый кремний-на-изоляторе”
В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Кан, Н. А. Давлеткильдеев, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов Омский научный центр СО РАН
Аннотация:
Изучен процесс окисления мезопористого кремния в двухслойной структуре “макропористый кремний–мезопористый кремний”. Методами электронной микроскопии, эллипсометрии, электрофизическими измерениями исследована морфология и диэлектрические свойства получаемого слоя захороненного диэлектрика. Определено наличие специфического вида дефектов “шипов”, возникающих при окислении стенок макропор в макропористом кремнии, границ пересечения фронтов окисления мезопористого кремния. Установлено, что при исходной пористости мезопористого кремния 60% и трехстадийном термическом окислении формируются захороненные слои двуокиси кремния с напряженностью электрического поля пробоя $E_{\operatorname{br}}\sim$ 10$^{4}$–10$^{5}$ В/cм. Показана перспективность применения многослойных структур “пористый кремний-на-изоляторе” в интегрированных химических микро- и наносенсорах.
Поступила в редакцию: 24.03.2016 Принята в печать: 04.04.2016
Образец цитирования:
В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Кан, Н. А. Давлеткильдеев, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов, “Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах “пористый кремний-на-изоляторе””, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 51–55; Semiconductors, 51:1 (2017), 49–53
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6257 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p51
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 10 |
|