Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 51–55
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43995.8246
(Mi phts6257)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах “пористый кремний-на-изоляторе”

В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Кан, Н. А. Давлеткильдеев, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов

Омский научный центр СО РАН
Аннотация: Изучен процесс окисления мезопористого кремния в двухслойной структуре “макропористый кремний–мезопористый кремний”. Методами электронной микроскопии, эллипсометрии, электрофизическими измерениями исследована морфология и диэлектрические свойства получаемого слоя захороненного диэлектрика. Определено наличие специфического вида дефектов “шипов”, возникающих при окислении стенок макропор в макропористом кремнии, границ пересечения фронтов окисления мезопористого кремния. Установлено, что при исходной пористости мезопористого кремния 60% и трехстадийном термическом окислении формируются захороненные слои двуокиси кремния с напряженностью электрического поля пробоя $E_{\operatorname{br}}\sim$ 10$^{4}$–10$^{5}$ В/cм. Показана перспективность применения многослойных структур “пористый кремний-на-изоляторе” в интегрированных химических микро- и наносенсорах.
Поступила в редакцию: 24.03.2016
Принята в печать: 04.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 49–53
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010043
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Болотов, Е. В. Князев, И. В. Пономарева, В. Е. Кан, Н. А. Давлеткильдеев, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов, “Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах “пористый кремний-на-изоляторе””, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 51–55; Semiconductors, 51:1 (2017), 49–53
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BolKnyPon17}
\by В.~В.~Болотов, Е.~В.~Князев, И.~В.~Пономарева, В.~Е.~Кан, Н.~А.~Давлеткильдеев, К.~Е.~Ивлев, В.~Е.~Росликов
\paper Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах ``пористый кремний-на-изоляторе''
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 51--55
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6257}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43995.8246}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969404}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 49--53
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010043}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6257
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p51
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024