|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Д. Д. Авров, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, А. В. Осипов, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 28–31   ; D. D. Avrov, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, A. V. Osipov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Comparative ellipsometric analysis of silicon carbide polytypes 4$H$, 15$R$, and 6$H$ produced by a modified Lely method in the same growth process”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 968–971 |
4
|
| 2. |
А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 36–38 ; A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Investigation of the hardness and Young's modulus in thin near-surface layers of silicon carbide from the Si- and C-faces by nanoindentation”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 763–766 |
8
|
|
2019 |
| 3. |
А. В. Марков, М. Ф. Панов, В. П. Растегаев, Е. Н. Севостьянов, В. В. Трушлякова, “Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1869–1874 ; A. V. Markov, M. F. Panov, V. P. Rastegaev, E. N. Sevostyanov, V. V. Trushlyakova, “Nondestructive control of the surface, layers, and charge carrier concentration on SiC substrates and structures”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1774–1779 |
1
|
|
Обратная связь: