Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2019, том 89, выпуск 12, страницы 1869–1874
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48484.435-18 (Mi jtf5432) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Твердое тело

Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC

А. В. Марков, М. Ф. Панов, В. П. Растегаев, Е. Н. Севостьянов, В. В. Трушлякова

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (1019 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48484.435-18
Аннотация: Неразрушающими бесконтактными методами исследованы карбидокремниевые подложки и эпитаксиальные структуры. Параметры нарушенного поверхностного слоя и шероховатости определены методами эллипсометрии и атомно-силовой микроскопии. Концентрация свободных носителей заряда определена методом ИК спектроскопии. Толщины в многослойной эпитаксиальной структуре на SiC определены с помощью ИК спектроскопии и растровой электронной микроскопии.
Ключевые слова: слой, отражение, интерференция, шероховатость, эллипсометрия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 218
Работа выполнена в рамках ОКР ”Создание промышленного эпитаксиального производства карбидокремниевых многослойных структур для отечественного электронного приборостроения“ (Шифр “Ресурс-К” по заказу Минобрнауки, проводимой как IX очередь Комплексного проекта по созданию высокотехнологичного производства в соответствии с Постановлением Правительства РФ № 218 от 09.04.2010 г.
Поступила в редакцию: 19.12.2018
Исправленный вариант: 19.12.2018
Принята в печать: 06.06.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2019, Volume 64, Issue 12, Pages 1774–1779
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784219120181
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Марков, М. Ф. Панов, В. П. Растегаев, Е. Н. Севостьянов, В. В. Трушлякова, “Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1869–1874; Tech. Phys., 64:12 (2019), 1774–1779
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarPanRas19}
\by А.~В.~Марков, М.~Ф.~Панов, В.~П.~Растегаев, Е.~Н.~Севостьянов, В.~В.~Трушлякова
\paper Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC
\jour ЖТФ
\yr 2019
\vol 89
\issue 12
\pages 1869--1874
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5432}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48484.435-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848232}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2019
\vol 64
\issue 12
\pages 1774--1779
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784219120181}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5432
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v89/i12/p1869
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024