|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. В. Федоров, И. В. Штром, А. Д. Большаков, “Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 969–972   ; N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. V. Fedorov, I. V. Shtrom, A. D. Bolshakov, “Parameter-free model of self-catalyzed growth of Ga(As, P) nanowires”, Semiconductors, 56:1 (2022), 14–17 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
А. С. Агликов, Д. А. Кудряшов, А. М. Можаров, С. В. Макаров, А. Д. Большаков, И. С. Мухин, “Особенности магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля для применения в составе перовскитных солнечных элементов”, ЖТФ, 89:3 (2019), 460–464 ; A. S. Aglikov, D. A. Kudriashov, A. M. Mozharov, S. V. Makarov, A. D. Bolshakov, I. S. Mukhin, “Peculiarities of magnetron sputtering of nickel oxide thin films for use in perovskite solar cells”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 422–426 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
A. M. Mozharov, A. A. Vasiliev, A. D. Bolshakov, G. A. Sapunov, V. V. Fedorov, G. E. Cirlin, I. S. Mukhin, “Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 475 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 489–492 |
4
|
|
2016 |
| 4. |
А. М. Можаров, Д. А. Кудряшов, А. Д. Большаков, Г. Э. Цырлин, А. С. Гудовских, И. С. Мухин, “Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1543–1547 ; A. M. Mozharov, D. A. Kudriashov, A. D. Bolshakov, G. E. Cirlin, A. S. Gudovskikh, I. S. Mukhin, “Numerical simulation of the properties of solar cells based on GaPNAs/Si heterostructures and GaN nanowires”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1521–1525 |
8
|
|
Обратная связь: