|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, “Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 420–426   ; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, “Formation and optical properties of locally strained Ge microstructures embedded into cavities”, Semiconductors, 55:6 (2021), 531–536 |
|
2019 |
| 2. |
Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Н. С. Гусев, А. И. Машин, Е. Е. Морозова, А. В. Нежданов, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, Д. В. Шенгуров, А. Н. Яблонский, “Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1360–1365 ; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, A. I. Mashin, E. E. Morozova, A. V. Nezhdanov, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, “Locally strained Ge/SOI structures with improved heat sink as an active media for silicon optoelectronics”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1324–1328 |
1
|
| 3. |
Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, М. Н. Дроздов, Е. Е. Морозова, М. А. Калинников, А. В. Новиков, “Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 897–902 ; D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, M. N. Drozdov, E. E. Morozova, M. A. Kalinnikov, A. V. Novikov, “Influence of annealing on the properties of Ge:Sb/Si(001) layers with an antimony concentration above its equilibrium solubility in germanium”, Semiconductors, 53:7 (2019), 882–886 |
3
|
|
2018 |
| 4. |
А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Е. В. Скороходов, В. А. Вербус, А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, Н. С. Гусев, К. Е. Кудрявцев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, “Формирование и исследование локально-растянутых Ge-микроструктур для кремниевой фотоники”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1331–1336 ; A. V. Novikov, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, E. V. Skorokhodov, V. A. Verbus, A. N. Yablonskii, N. A. Baidakova, N. S. Gusev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, “Formation and properties of locally tensile strained Ge microstructures for silicon photonics”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1442–1447 |
3
|
|
2017 |
| 5. |
Н. А. Байдакова, В. А. Вербус, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1599–1604 ; N. A. Baidakova, V. A. Verbus, E. E. Morozova, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Selective etching of Si, SiGe, Ge and its usage for increasing the efficiency of silicon solar cells”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1542–1546 |
10
|
|
2016 |
| 6. |
Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1685–1689 ; N. A. Baidakova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence of structures with self-assembled Ge(Si) nanoislands confined between strained Si layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1657–1661 |
1
|
| 7. |
В. Б. Шмагин, С. Н. Вдовичев, Е. Е. Морозова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1497–1500 ; V. B. Shmagin, S. N. Vdovichev, E. E. Morozova, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1475–1478 |
|
Обратная связь: