|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Е. В. Калинина, А. А. Каташев, Г. Н. Виолина, А. М. Стрельчук, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1368–1373   ; E. V. Kalinina, A. A. Katashev, G. N. Violina, A. M. Strel'chuk, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural, electrical, and optical properties of 4$H$-SiC for ultraviolet photodetectors”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1628–1633 |
1
|
| 2. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, М. З. Шварц, С. А. Левина, А. В. Николаев, “Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 195–201 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, M. Z. Shvarts, S. A. Levina, A. V. Nikolaev, “Effect of temperature on the characteristics of 4$H$-SiC UV photodetectors”, Semiconductors, 54:2 (2020), 246–252 |
3
|
|
2019 |
| 3. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, И. П. Никитина, М. А. Яговкина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 856–861 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, M. A. Yagovkina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Proton irradiation of 4$H$-SiC photodetectors with Schottky barriers”, Semiconductors, 53:6 (2019), 844–849 |
7
|
|
2016 |
| 4. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, В. П. Белик, А. В. Николаев, В. В. Забродский, “Квантовая эффективность 4$H$-SiC-детекторов в диапазоне 114–400 nm”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 73–78 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, V. P. Belik, A. V. Nikolaev, V. V. Zabrodskii, “Quantum efficiency of 4$H$-SiC detectors within the range of 114–400 nm”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1057–1059 |
5
|
|
1992 |
| 5. |
О. И. Коньков, И. Н. Трапезникова, М. П. Власенко, Е. И. Теруков, Г. Н. Виолина, “Влияние температурного отжига на свойства пленок $\alpha$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H (${0<x\leqslant1}$)”, Физика твердого тела, 34:1 (1992), 326–328  |
|
Обратная связь: