|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
П. В. Середин, А. В. Федюкин, В. А. Терехов, К. А. Барков, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Е. В. Фомин, Н. А. Пихтин, “Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1584–1592   ; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, V. A. Terekhov, K. A. Barkov, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, E. V. Fomin, N. A. Pikhtin, “On the phase composition, morphology, and optical and electronic characteristics of AlN nanofilms grown on misoriented GaAs (100) substrates”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1550–1557 |
1
|
|
2018 |
| 2. |
В. А. Терехов, Д. С. Усольцева, О. В. Сербин, И. Е. Занин, Т. В. Куликова, Д. Н. Нестеров, К. А. Барков, А. В. Ситников, С. К. Лазарук, Э. П. Домашевская, “Особенности фазообразования и электронного строения в пленочных композитах Al$_{1-x}$Si$_{x}$ при магнетронном и ионно-лучевом напылении”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 1005–1011 ; V. A. Terekhov, D. S. Usol'tseva, O. V. Serbin, I. E. Zanin, T. V. Kulikova, D. N. Nesterov, K. A. Barkov, A. V. Sitnikov, S. K. Lazaruk, È. P. Domashevskaya, “Phase formation and electronic structure peculiarities in the Al$_{1-x}$Si$_{x}$ film composites under the conditions of magnetron and ion-beam sputtering”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 1021–1028 |
1
|
|
2017 |
| 3. |
Э. П. Домашевская, Н. С. Буйлов, В. А. Терехов, К. А. Барков, В. Г. Ситников, “Электронное строение и фазовый состав диэлектрических прослоек в многослойной аморфной наноструктуре [(CoFeB)$_{60}$C$_{40}$/SiO$_{2}$]$_{200}$”, Физика твердого тела, 59:1 (2017), 161–166 ; È. P. Domashevskaya, N. S. Builov, V. A. Terekhov, K. A. Barkov, V. G. Sitnikov, “Electronic structure and phase composition of dielectric interlayers in multilayer amorphous nanostructure [(CoFeB)$_{60}$C$_{40}$/SiO$_{2}$]$_{200}$”, Phys. Solid State, 59:1 (2017), 168–173 |
5
|
| 4. |
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, А. В. Ершов, А. И. Машин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 363–366 ; S. Yu. Turishchev, V. A. Terekhov, D. A. Koyuda, A. V. Ershov, A. I. Mashin, E. V. Parinova, D. N. Nesterov, D. A. Grachev, I. A. Karabanova, È. P. Domashevskaya, “Formation of silicon nanocrystals in multilayer nanoperiodic $a$-SiO$_{x}$/insulator structures from the results of synchrotron investigations”, Semiconductors, 51:3 (2017), 349–352 |
5
|
|
2016 |
| 5. |
Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, С. Ю. Турищев, Д. Е. Спирин, А. В. Чернышев, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников, “Межатомные взаимодействия на интерфейсах многослойных наноструктур (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/a-Si)$_{40}$ и (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_{2}$)$_{32}$”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 991–999 ; È. P. Domashevskaya, V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev, D. E. Spirin, A. V. Chernyshev, Yu. E. Kalinin, A. V. Sitnikov, “Interatomic interactions at interfaces of multilayered nanostructures (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/$a$-Si)$_{40}$ and (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/Si$_{2}$)$_{32}$”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 1024–1033 |
6
|
| 6. |
В. А. Терехов, Е. И. Теруков, Ю. К. Ундалов, Е. В. Паринова, Д. Е. Спирин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Состав и оптические свойства аморфных пленок $a$-SiO$_{x}$:H с нанокластерами кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 212–217 ; V. A. Terekhov, E. I. Terukov, Yu. K. Undalov, E. V. Parinova, D. E. Spirin, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Composition and optical properties of amorphous $a$-SiO$_x$ :H films with silicon nanoclusters”, Semiconductors, 50:2 (2016), 212–216 |
3
|
|
1988 |
| 7. |
О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, А. Таджиев, В. А. Терехов, “Плотность электронных состояний соединений MB$_{66}$”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 899–901  |
|
1983 |
| 8. |
В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, В. В. Горбачев, Ю. А. Тетерин, Э. П. Домашевская, “Электронное строение халькогенидов меди по рентгеноспектральным и рентгеноэлектронным данным”, Физика твердого тела, 25:8 (1983), 2482–2484 |
|
Обратная связь: