|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. И. Алтухов, А. В. Санкин, А. С. Сигов, Д. К. Сысоев, Э. Г. Янукян, С. В. Филиппова, “Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 366–369   ; V. I. Altukhov, A. V. Sankin, A. S. Sigov, D. K. Sysoev, È. G. Yanukyan, S. V. Filippova, “Schottky-barrier model nonlinear in surface-state concentration and calculation of the I–V characteristics of diodes based on SiC and its solid solutions in the composite charge-transport model”, Semiconductors, 52:3 (2018), 348–351 |
3
|
|
2016 |
| 2. |
В. И. Алтухов, И. С. Касьяненко, А. В. Санкин, Б. А. Билалов, А. С. Сигов, “Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл–твердые растворы на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1190–1194 ; V. I. Altukhov, I. S. Kasyanenko, A. V. Sankin, B. A. Bilalov, A. S. Sigov, “Calculation of the Schottky barrier and current–voltage characteristics of metal–alloy structures based on silicon carbide”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1168–1172 |
1
|
|
1984 |
| 3. |
М. Г. Абрамишвили, В. И. Алтухов, В. Г. Квачадзе, “Новый способ получения стабильных $F^{+}_{2}$-центров в кристаллах LiF”, Физика твердого тела, 26:6 (1984), 1895–1897  |
|
Обратная связь: