Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса

Предложена модифицированная нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки, содержащая локальный квазиуровень Ферми на границе раздела, обусловленного избыточным поверхностным зарядом. Такой подход позволяет объяснить наблюдающееся подобие вольт-амперная характеристика диодов c барьером Шоттки M/(SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$ и гетеропереходов на основе SiC и его твердых растворов с учетом $\Phi_{g}\approx\Phi_{\operatorname{B}}$. Результаты расчетов высоты барьеров Шоттки согласуются с данными опытов, полученными по фототоку для металлов (M): Al, Ti, Cr, Ni. Вольт-амперные характеристики в составной – аддитивной модели токопереноса согласуются с данными экспериментов для систем $n$-M/$p$-(SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$ и $n$-6$H$-SiC/$p$-(SiC)$_{0.85}$(AlN)$_{0.15}$.