Расчет барьера Шоттки и вольт-амперных характеристик структур металл–твердые растворы на основе карбида кремния

Развита простая, но нелинейная по концентрации дефектов модель контакта металл-полупроводник, когда барьер Шоттки формируется поверхностными дефектными состояниями, локализованными на границе раздела. Показано, что учет нелинейной зависимости уровня Ферми от концентрации дефектов ведет при низких концентрациях дефектов к повышению барьера Шоттки на 15–25%. Рассчитанные значения высоты барьера используются для анализа вольт-амперных характеристик структур $n$-$M/p$-(SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными.