|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост cульфида цинка методом молекулярного наслаивания на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 11–14   ; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of zinc sulfide by atomic layer deposition on SiC/Si hybrid substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1075–1077 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. П. Рубец, “Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 499–504 ; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. P. Rubets, “Epitaxial growth of cadmium selenide films on silicon with a silicon carbide buffer layer”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 504–509 |
6
|
| 3. |
А. П. Беляев, В. В. Антипов, В. П. Рубец, “Исследование структуры нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия, синтезированных методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 125–126 ; A. P. Belyaev, V. V. Antipov, V. P. Rubets, “Study of the structure of cadmium-sulfide nanowire crystals synthesized by vacuum evaporation and condensation in a quasi-closed volume”, Semiconductors, 52:1 (2018), 118–119 |
|
2017 |
| 4. |
В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 59:2 (2017), 385–388 ; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer”, Phys. Solid State, 59:2 (2017), 399–402 |
5
|
| 5. |
А. П. Беляев, В. П. Рубец, В. В. Антипов, “Влияние температуры на ромбическую форму молекулярных кристаллов парацетамола”, ЖТФ, 87:4 (2017), 624–626 ; A. P. Belyaev, V. P. Rubets, V. V. Antipov, “Influence of temperature on the rhombic shape of paracetamol molecular crystals”, Tech. Phys., 62:4 (2017), 645–647 |
6
|
|
2016 |
| 6. |
В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии”, Физика твердого тела, 58:3 (2016), 612–615 ; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of cadmium sulfide films on silicon”, Phys. Solid State, 58:3 (2016), 629–632 |
9
|
| 7. |
А. П. Беляев, В. В. Антипов, В. П. Рубец, “Формирование нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 420–422 ; A. P. Belyaev, V. V. Antipov, V. P. Rubets, “Formation of cadmium-sulfide nanowhiskers via vacuum evaporation and condensation in a quasi-closed volume”, Semiconductors, 50:3 (2016), 415–417 |
2
|
|
2012 |
| 8. |
А. П. Беляев, В. П. Рубец, В. В. Антипов, Н. С. Бордей, “О механизме начальной стадии образования наноструктур в условиях сверхнизких температур”, Наносистемы: физика, химия, математика, 3:5 (2012), 103–110 |
|
Обратная связь: