|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, Ю. Г. Шретер, “Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 104–110   ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, Yu. G. Shreter, “Current noise and efficiency droop of light-emitting diodes in defect-assisted carrier tunneling from an InGaN/GaN quantum well”, Semiconductors, 53:1 (2019), 99–105 |
7
|
|
2016 |
| 2. |
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 1–8 ; N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. A. Tarala, Yu. G. Shreter, “The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1099–1102 |
5
|
|
1984 |
| 3. |
А. А. Бугаев, А. В. Клочков, “Необратимые изменения в пленке двуокиси ванадия при пикосекундном лазерном воздействии”, Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3487–3489  |
| 4. |
А. А. Бугаев, В. В. Гудялис, А. В. Клочков, “Пикосекундная спектроскопия перехода полупроводник–металл в пленке двуокиси ванадия”, Физика твердого тела, 26:5 (1984), 1463–1467 |
|
1983 |
| 5. |
А. А. Бугаев, В. В. Гудялис, А. В. Клочков, “Индуцированная оптическая анизотропия пленки двуокиси ванадия при пикосекундном возбуждении”, Физика твердого тела, 25:6 (1983), 1890–1892 |
|
Обратная связь: