|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
З. А. Атамуратова, A. Юсупов, Б. О. Халикбердиев, А. Э. Атамуратов, “Аномальное поведение боковой $C$–$V$-характеристики МНОП-транзистора со встроенным локальным зарядом в нитридном слое”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1067–1070   ; Z. A. Atamuratova, A. Yusupov, B. O. Halikberdiev, A. E. Atamuratov, “Anomalous behavior of lateral $C$–$V$ characteristic of an MNOS transistor with an embedded local charge in the nitride layer”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1006–1009 |
3
|
|
2017 |
| 2. |
A. E. Atamuratov, M. Khalilloev, A. Abdikarimov, Z. A. Atamuratova, M. Kittler, R. Granzner, F. Schwierz, “Simulation of DIBL effect in junctionless SOI MOSFETs with extended gate”, Наносистемы: физика, химия, математика, 8:1 (2017), 75–78  |
| 3. |
A. E. Atamuratov, A. Abdikarimov, M. Khalilloev, Z. A. Atamuratova, R. Rahmanov, A. Garcia-Loureiro, A. Yusupov, “Simulation of DIBL effect in 25 nm SOIFinFET with the different body shapes”, Наносистемы: физика, химия, математика, 8:1 (2017), 71–74 |
1
|
|
2015 |
| 4. |
A. E. Atamuratov, U. A. Aminov, Z. A. Atamuratova, M. Halillaev, A. Abdikarimov, H. R. Matyakubov, “The lateral capacitance of nanometer MNOSFET with a single charge trapped in oxide layeror at SiO$_2$ – Si$_3$N$_4$ interfaceat”, Наносистемы: физика, химия, математика, 6:6 (2015), 837–842 |
|
Обратная связь: