Наносистемы: физика, химия, математика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Наносистемы: физика, химия, математика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Наносистемы: физика, химия, математика, 2017, том 8, выпуск 1, страницы 71–74
DOI: https://doi.org/10.17586/2220-8054-2017-8-1-71-74
(Mi nano10)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

PHYSICS

Simulation of DIBL effect in 25 nm SOIFinFET with the different body shapes

A. E. Atamuratova, A. Abdikarimova, M. Khalilloeva, Z. A. Atamuratovaa, R. Rahmanova, A. Garcia-Loureirob, A. Yusupovc

a Urganch State University, Kh. Olimjan, 14, Urganch, 220100, Uzbekistan
b University of Santiago de Compostella, Ra de Jenaro de la Fuente Domnguez, 15782 – Santiago de Compostela, Spain
c Tashkent Automobile and Road Institute, 100060 Tashkent, st. A. Temur 20, Uzbekistan
Аннотация: Short channel effects, such as DIBL are compared for SOI-FinFETs with different silicon body geometries. The original device considered was straight without narrowing at the top and a set of devices that exhibit the mentioned narrowing, up to the extreme case where the top of the gate has no surface and so the body cross-section is essentially a triangle. We have studied five different variations from the original geometry of a 25 nm gate length SOI-FinFET device with 1.5 nm thick oxide layer. The P-type channel had a doping concentration of 10$^{15}$cm$^{-3}$ and n-type S/D areas are doped at concentrations of 10$^{20}$cm$^{-3}$. The silicon body of the device accordingly had a height of 30 nm and a width of 12 nm. Simulation results show the source-drain barrier decreasing with increasing the upper body thickness. The DIBL effect of the considered FinFETs depends on upper body thickness, tending to increase with thicker upper body widths. Results of a comparison of two devices with different shapes but with the same cross-sectional area shows the relationship mainly depends on the shape rather than the cross-section area of the device body.
Ключевые слова: FinFET, DIBL, potential barrier.
Поступила в редакцию: 08.07.2016
Исправленный вариант: 25.08.2016
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 85.30.Tv
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. E. Atamuratov, A. Abdikarimov, M. Khalilloev, Z. A. Atamuratova, R. Rahmanov, A. Garcia-Loureiro, A. Yusupov, “Simulation of DIBL effect in 25 nm SOIFinFET with the different body shapes”, Наносистемы: физика, химия, математика, 8:1 (2017), 71–74
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AtaAbdKha17}
\by A.~E.~Atamuratov, A.~Abdikarimov, M.~Khalilloev, Z.~A.~Atamuratova, R.~Rahmanov, A.~Garcia-Loureiro, A.~Yusupov
\paper Simulation of DIBL effect in 25 nm SOIFinFET with the different body shapes
\jour Наносистемы: физика, химия, математика
\yr 2017
\vol 8
\issue 1
\pages 71--74
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/nano10}
\crossref{https://doi.org/10.17586/2220-8054-2017-8-1-71-74}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000397241100010}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano10
  • https://www.mathnet.ru/rus/nano/v8/i1/p71
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Наносистемы: физика, химия, математика
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024