Аномальное поведение боковой $C$–$V$-характеристики МНОП-транзистора со встроенным локальным зарядом в нитридном слое

Выполнено моделирование $C$–$V$-зависимости для бокового перехода исток–подложка транзистора металл–нитрид–оксид–полупроводник. Встраивание локального ловушечного заряда в нитридный слой приводит к аномальному скачку или спаду емкости перехода при определенных напряжениях на переходе, зависящих от концентрации легирующей примеси в подложке. Такое изменение емкости связано с перераспределением носителей заряда в приповерхностной области подложки, вызванным встраиванием локального заряда. Данная особенность поведения вольт-фарадной характеристики может быть использована для детектирования локального заряда, встроенного в диэлектрический слой полевого транзистора.