|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 771–777   ; E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Calculating silicon-amorphization doses under medium-energy light-ion irradiation”, Semiconductors, 54:8 (2020), 916–922 |
3
|
| 2. |
Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 46:1 (2020), 24–27 ; E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Impact of oxygen vacancies on the formation and structure of filaments in SiO$_2$-based memristors”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 19–22 |
9
|
|
2018 |
| 3. |
Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 967–972 ; E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Calculation of the influence of the ion current density and temperature on the accumulation kinetics of point defects under the irradiation of Si with light ions”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1091–1096 |
2
|
|
1986 |
| 4. |
В. А. Пантелеев, М. И. Василевский, Г. М. Големшток, В. И. Окулич, “Взаимодействие дефектов при диффузии фосфора в кремнии”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 3226–3228  |
|
1985 |
| 5. |
А. С. Васин, В. И. Окулич, В. А. Пантелеев, Д. И. Тетельбаум, “Влияние давления на скорость рекристаллизации аморфизованного слоя кремния при постимплантационном отжиге”, Физика твердого тела, 27:1 (1985), 274–277 |
|
Обратная связь: