|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Л. К. Орлов, В. И. Вдовин, Н. Л. Ивина, “Микрокристаллическая структура и светоизлучающие свойства 3$C$-SiC островковых пленок, выращиваемых на поверхности Si(100)”, Физика твердого тела, 61:7 (2019), 1322–1330   ; L. K. Orlov, V. I. Vdovin, N. L. Ivina, “Microcrystalline structure and light-emitting properties of 3$C$–SiC island films grown on the Si(100) surface”, Phys. Solid State, 61:7 (2019), 1263–1271 |
4
|
|
2018 |
| 2. |
В. П. Попов, В. А. Антонов, В. И. Вдовин, “Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1220–1227 ; V. P. Popov, V. A. Antonov, V. I. Vdovin, “Positive charge in SOS heterostructures with interlayer silicon oxide”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1341–1348 |
10
|
| 3. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, Р. Н. Кютт, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, В. И. Вдовин, “Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 24–30 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, R. N. Kyutt, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, V. I. Vdovin, “Defect structure of GaAs layers implanted with nitrogen ions”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 817–819 |
2
|
|
1987 |
| 4. |
В. И. Вдовин, Г. Н. Семёнова, Ю. А. Тхорик, Л. С. Xазан, “Атермическое возбуждение движения дислокаций электронным пучком в гетероэпитаксиальных пленках германия”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1260–1263  |
|
Обратная связь: