|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния
В. П. Попов, В. А. Антонов, В. И. Вдовин Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Впервые продемонстрирован перенос имплантированным водородом сплошных слоев (001) Si толщиной 0.2–1.7 мкм на $c$-поверхность сапфира в процессе прямого сращивания при повышенных температурах 300–500$^\circ$С. Впервые обнаружено формирование промежуточного слоя оксида кремния SiO$_{x}$ при последующих термообработках при температурах 800–1100$^\circ$С, рост толщины которого (до 3 нм) коррелирует с увеличением положительного заряда Q$_{i}$ на гетерогранице до значения $\sim$1.5 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ в отличие от отрицательного заряда на гетерогранице SiO$_{x}$/Al$_{2}$O$_{3}$ ALD. При переносе на сапфир слоя кремния вместе со слоем термического диоксида кремния величина Q$_{i}$ уменьшается более чем на порядок, до 5 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$, с ростом толщины SiO$_{2}$ от 50 до 400 нм, а подвижности электронов и дырок практически не отличаются от величин в объeмном кремнии. На основании этих результатов предложена качественная модель формирования положительно заряженных кислородных вакансий в 5-нанометровом слое сапфира вблизи границы сращивания.
Поступила в редакцию: 12.02.2018 Принята в печать: 19.02.2018
Образец цитирования:
В. П. Попов, В. А. Антонов, В. И. Вдовин, “Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1220–1227; Semiconductors, 52:10 (2018), 1341–1348
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5719 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1220
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 17 |
|