|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота
Н. А. Соболевa, А. Е. Калядинa, К. В. Карабешкинa, Р. Н. Кюттa, В. М. Микушкинa, Е. И. Шекa, Е. В. Шерстневa, В. И. Вдовинb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Представлены результаты исследования методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии структурных дефектов, образующихся в эпитаксиальных слоях GaAs при имплантации ионов N$^{+}$ с энергией 250 keV и дозами 5 $\cdot$ 10$^{14}$–5 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$. Аморфизации имплантированного слоя не происходит при всех использованных дозах. После имплантации с дозами 5 $\cdot$ 10$^{14}$ и 5 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$ на дифракционных кривых наблюдается дополнительный пик, обусловленный формированием напряженного слоя GaAs с положительной деформацией, возникающей благодаря образованию кластеров точечных дефектов. При имплантации с дозой 5 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$ в слое формируется плотная структура протяженных дефектов, что сопровождается релаксацией макронапряжений до исходного состояния.
Поступила в редакцию: 11.12.2017
Образец цитирования:
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, Р. Н. Кютт, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, В. И. Вдовин, “Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 24–30; Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 817–819
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5690 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i18/p24
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 13 |
|