Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота

Представлены результаты исследования методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии структурных дефектов, образующихся в эпитаксиальных слоях GaAs при имплантации ионов N$^{+}$ с энергией 250 keV и дозами 5 $\cdot$ 10$^{14}$–5 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$. Аморфизации имплантированного слоя не происходит при всех использованных дозах. После имплантации с дозами 5 $\cdot$ 10$^{14}$ и 5 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$ на дифракционных кривых наблюдается дополнительный пик, обусловленный формированием напряженного слоя GaAs с положительной деформацией, возникающей благодаря образованию кластеров точечных дефектов. При имплантации с дозой 5 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$ в слое формируется плотная структура протяженных дефектов, что сопровождается релаксацией макронапряжений до исходного состояния.