|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. В. Кузьмин, М. А. Митцев, “Влияние контактной разности потенциалов на вольт-амперные характеристики в сканирующей туннельной спектроскопии”, ЖТФ, 91:11 (2021), 1769–1773   ; M. V. Kuzmin, M. A. Mitsev, “The effect of contact potential difference on current–voltage characteristics in scanning tunneling spectroscopy”, Tech. Phys., 67:1 (2022), 23–27  |
| 2. |
М. В. Кузьмин, М. А. Митцев, “Переход металл-полупроводник в нанопленках иттербия, индуцированный адсорбированными молекулами кислорода”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1189–1193 ; M. V. Kuzmin, M. A. Mitsev, “Metal–semiconductor transition induced by adsorbed oxygen molecules in ytterbium nanofilms”, Tech. Phys., 66:8 (2021), 987–991 |
1
|
|
2020 |
| 3. |
М. В. Кузьмин, М. А. Митцев, “Сканирующая туннельная микроскопия поверхности нанопленок иттербия и адсорбированных на ней слоев молекул кислорода”, ЖТФ, 90:8 (2020), 1359–1365 ; M. V. Kuzmin, M. A. Mitsev, “Scanning tunneling microscopy of the ytterbium nanofilm surface and layers of oxygen molecules adsorbed on it”, Tech. Phys., 65:8 (2020), 1307–1312 |
4
|
|
2019 |
| 4. |
М. В. Кузьмин, М. А. Митцев, “Влияние адсорбированных молекул СО на электронное состояние нанопленок иттербия, выращиваемых на кремниевых подложках”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1086–1091 ; M. V. Kuzmin, M. A. Mitsev, “Influence of CO admolecules on the electronic state of ytterbium nanofilms grown on silicon substrates”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1024–1028 |
2
|
|
2018 |
| 5. |
М. А. Митцев, М. В. Кузьмин, “Электростатическая природа размерных зависимостей адсорбционных свойств нанопленок иттербия, выращиваемых на поверхности кремния: система CO–Yb–Si(111)”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1416–1422 ; M. A. Mitsev, M. V. Kuzmin, “Electrostatic nature of size dependences of adsorption properties of ytterbium nanofilms grown on the surface of silicon: CO–Yb–Si(111)”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1432–1438 |
3
|
|
2017 |
| 6. |
М. В. Кузьмин, М. А. Митцев, “Исследование валентного перехода в системе О$_{2}$–Yb–Si(111) с помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением”, Физика твердого тела, 59:10 (2017), 2032–2036 ; M. V. Kuzmin, M. A. Mitsev, “Valence transition investigation in the О$_{2}$–Yb–Si(111) system by means of the angle-resolved photoelectron spectroscopy method”, Phys. Solid State, 59:10 (2017), 2058–2062 |
| 7. |
М. А. Митцев, М. В. Кузьмин, Н. М. Блашенков, “Транспленочная пассивация границы раздела кремний–нанопленки иттербия хемосорбированными на их поверхности молекулами CO и O$_{2}$”, Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1612–1618 ; M. A. Mitsev, M. V. Kuzmin, N. M. Blashenkov, “Transfilm passivation of a silicon–ytterbium nanofilms interface with chemisorbed CO and O$_{2}$ molecules”, Phys. Solid State, 59:8 (2017), 1637–1642 |
1
|
|
2016 |
| 8. |
М. А. Митцев, М. В. Кузьмин, М. В. Логинов, “Механизм валентного перехода Yb$^{2+}$ $\to$ Yb$^{3+}$, происходящего в нанопленках иттербия при хемосорбции на их поверхности молекул СО и О$_{2}$”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 2054–2058 ; M. A. Mitsev, M. V. Kuzmin, M. V. Loginov, “Mechanism of the Yb$^{2+}$ $\to$ Yb$^{3+}$ valence transition in ytterbium nanofilms upon chemisorption of CO and O$_2$ molecules on their surface”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 2130–2134 |
7
|
| 9. |
М. А. Митцев, М. В. Кузьмин, “Влияние границ раздела "нанопленки иттербия–кремний Si(111)" на валентность иттербия”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1794–1797 ; M. A. Mitsev, M. V. Kuzmin, “Influence of “ytterbium nanofilm–silicon Si(111)” interfaces on the valence of ytterbium”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1858–1861 |
2
|
|
1992 |
| 10. |
М. В. Логинов, М. А. Митцев, В. А. Плешков, “Адсорбция атомов самария на грани (100) вольфрама”, Физика твердого тела, 34:10 (1992), 3125–3136  |
| 11. |
М. А. Митцев, Н. Д. Потехина, “Учет внутренних статсумм кластеров в теории решеточного газа”, Физика твердого тела, 34:3 (1992), 757–764 |
| 12. |
Т. В. Крачино, М. А. Митцев, “Влияние прогрева на спектры характеристических потерь
высокотемпературного сверхпроводника
YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$”, ЖТФ, 62:5 (1992), 172–176 |
|
1991 |
| 13. |
А. П. Казанцев, М. А. Митцев, “Структура пленок самария, адсорбированных на грани W (100)”, Физика твердого тела, 33:7 (1991), 1986–1990 |
| 14. |
Т. В. Крачино, М. А. Митцев, “Исследование методами электронной оже-спектроскопии
и масс-спектрометрии удаления примесей из сверхпроводящей керамики
YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$”, ЖТФ, 61:12 (1991), 59–64 |
| 15. |
М. А. Митцев, Н. Д. Потехина, “Влияние учета внутренних статсумм кластеров, образующихся
в адсорбированном слое, на скорость десорбции атомов”, Письма в ЖТФ, 17:21 (1991), 71–75 |
|
1987 |
| 16. |
С. В. Ефимовский, М. В. Логинов, Н. В. Мамро, М. А. Митцев, “Электронное состояние атомов самария, адсорбированных на грани (100) вольфрама”, Письма в ЖТФ, 13:16 (1987), 1013–1016 |
|
1986 |
| 17. |
М. В. Логинов, М. А. Митцев, “Аномальная кинетика термодесорбции атомов неодима с поверхности грани (100) вольфрама”, Письма в ЖТФ, 12:3 (1986), 164–168 |
|
1985 |
| 18. |
М. А. Митцев, “О некоторых особенностях зависимостей теплоты адсорбции от концентрации адсорбированных атомов”, Физика твердого тела, 27:11 (1985), 3236–3241 |
|
1984 |
| 19. |
М. А. Митцев, “Зависимость термостабильности слоя адсорбированных атомов от их концентрации”, Физика твердого тела, 26:12 (1984), 3628–3634 |
|
1983 |
| 20. |
М. А. Митцев, А. М. Мухучев, “Вытеснение атомов цезия, адсорбированных на поверхности вольфрама, атомами бария и тулия”, Физика твердого тела, 25:5 (1983), 1321–1327 |
| 21. |
О. П. Бурмистрова, М. А. Митцев, А. М. Мухучев, “Концентрационные зависимости теплоты адсорбции и времени жизни атомов тулия на поверхности вольфрама”, Физика твердого тела, 25:1 (1983), 47–54 |
| 22. |
М. А. Митцев, A. M. Мухучев, “Адсорбция цезия на пленках бария и тулия различной толщины, выращенных
на вольфрамовой подложке”, Письма в ЖТФ, 9:6 (1983), 357–360 |
|
1963 |
| 23. |
Н. И. Ионов, М. А. Митцев, “Применение явления поверхностной ионизации для изучения каталитических реакций на поверхности”, Докл. АН СССР, 152:1 (1963), 137–139 |
|
Обратная связь: