|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1993 |
| 1. |
В. А. Горбылев, А. И. Петров, А. Б. Петухов, А. А. Чельный, “Оптимизация параметров квантово-размерных напряженных гетеролазерных структур InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 20:5 (1993), 454–456  [V. A. Gorbylev, A. I. Petrov, A. B. Petukhov, A. A. Chel'nyi, “Optimization of InGaAs/GaAs quantum-well strain-layer heterojunction laser structures”, Quantum Electron., 23:5 (1993), 391–393  ] |
1
|
|
1991 |
| 2. |
В. А. Горбылев, М. В. Зверков, О. А. Лабутин, А. И. Петров, А. А. Чельный, В. И. Швейкин, “Лазерный диод, излучающий на длине волны 663 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 18:7 (1991), 824–825 [V. A. Gorbylev, M. V. Zverkov, O. A. Labutin, A. I. Petrov, A. A. Chel'nyi, V. I. Shveǐkin, “Laser diode emitting cw 663 nm radiation at room temperature”, Sov J Quantum Electron, 21:7 (1991), 745–746 ] |
|
1979 |
| 3. |
H. Г. Куприянова, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. И. Петров, Г. И. Семенов, “Исследование поляризации излучения одноканальных инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 6:8 (1979), 1789–1792 [N. G. Kupriyanova, V. I. Molochev, V. V. Nikitin, A. I. Petrov, G. I. Semenov, “Investigation of the polarization of radiation from single-channel injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 9:8 (1979), 1055–1056] |
1
|
| 4. |
А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, А. И. Петров, К. А. Хайретдинов, “Непрерывный одночастотный инжекционный гетеролазер с перестройкой частоты с помощью внешнего дисперсионного резонатора”, Квантовая электроника, 6:6 (1979), 1264–1270 [A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, A. I. Petrov, K. A. Khaǐretdinov, “Single-frequency cw injection heterolaser tunable by an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 9:6 (1979), 743–747] |
5
|
| 5. |
В. И. Молочев, К. Н. Нарзуллаев, В. В. Никитин, А. И. Петров, А. С. Семенов, “Влияние ширины активной области инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs на одночастотный режим генерации”, Квантовая электроника, 6:4 (1979), 797–802 [V. I. Molochev, K. N. Narzullaev, V. V. Nikitin, A. I. Petrov, A. S. Semenov, “Effect of the active region width in GaAs semiconductor injection lasers on single-frequency stimulated emission conditions”, Sov J Quantum Electron, 9:4 (1979), 472–475] |
2
|
|
1975 |
| 6. |
В. И. Билак, Н. Р. Докучаев, А. М. Онищенко, В. А. Пашков, А. И. Петров, М. Ф. Стельмах, Н. П. Черноусов, “Индуцированное излучение кристаллов иттрий-алюминиевого граната с неодимом при накачке инжекционными лазерами”, Квантовая электроника, 2:5 (1975), 1050–1054 [V. I. Bilak, N. R. Dokuchaev, A. M. Onishchenko, V. A. Pashkov, A. I. Petrov, M. F. Stel'makh, N. P. Chernousov, “Stimulated emission from neodymium-doped yttrium aluminum garnet crystals pumped with injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 5:5 (1975), 572–574] |
|
1974 |
| 7. |
В. И. Бородулин, В. П. Коняев, Г. Н. Малявкина, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. А. Прудникова, В. И. Швейкин, “Исследование инжекционных квантовых генераторов с широкой активной областью”, Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1220–1222 [V. I. Borodulin, V. P. Konyaev, G. N. Malyavkina, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. A. Prudnikova, V. I. Shveikin, “Investigation of injection lasers with a wide active region”, Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 670–671] |
1
|
| 8. |
В. И. Бородулин, В. А. Горбылев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, “Инжекционный лазер со средней мощностью излучения 200 мВт”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 163–164 [V. I. Borodulin, V. A. Gorbylev, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. P. Chernousov, V. I. Shveikin, “Injection laser with an average output power of 200 mW”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 94] |
|
1972 |
| 9. |
В. И. Бородулин, Г. М. Малявкина, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов, “Некоторые свойства деградации гетеролазеров”, Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 108–110 [V. I. Borodulin, G. M. Malyavkina, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. P. Chernousov, V. I. Shveikin, I. V. Yashumov, “Some aspects of the degradation of heterojunction lasers”, Sov J Quantum Electron, 2:3 (1972), 294–296] |
5
|
|
1971 |
| 10. |
Г. Т. Пак, А. И. Петров, Е. Г. Файнбойм, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов, “Внутренние параметры инжекционных лазеров при 300°K”, Квантовая электроника, 1971, № 5, 99–101 [G. T. Pak, A. I. Petrov, E. G. Fainboim, N. P. Chernousov, V. I. Shveikin, I. V. Yashumov, “Internal parameters of injection lasers at 300°K”, Sov J Quantum Electron, 1:5 (1972), 508–509] |
1
|
| 11. |
В. А. Горбылев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов, “Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки”, Квантовая электроника, 1971, № 5, 97–99 [V. A. Gorbylev, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. P. Chernousov, V. I. Shveikin, I. V. Yashumov, “Dependence of the stimulated emission threshold of injection lasers on the duration of pumping current pulses”, Sov J Quantum Electron, 1:5 (1972), 505–507] |
8
|
|
Обратная связь: