|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Н. В. Гультиков, К. Ю. Телегин, А. Ю. Андреев, Л. И. Шестак, В. А. Панарин, М. Ю. Старынин, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, “Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs”, Квантовая электроника, 53:8 (2023), 667–671  [N. V. Gultikov, K. Yu. Telegin, A. Yu. Andreev, L. I. Shestak, V. A. Panarin, M. Yu. Starynin, A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, “High-power laser diode arrays based on (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs and GaAsP/GaInP/GaAs quantum-well heterostructures”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1391–S1397] |
1
|
|
2022 |
| 2. |
Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин, “Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179–181 [N. A. Volkov, K. Yu. Telegin, N. V. Gultikov, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, L. I. Shestak, A. A. Kozyrev, V. A. Panarin, “Improvement of the current–voltage performance of broadened asymmetric waveguide InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers (λ = 940–980 nm)”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 179–181   ] |
3
|
|
1983 |
| 3. |
А. С. Адливанкин, H. Д. Жуков, В. М. Райгородский, С. А. Сосновский, Л. И. Шестак, “Характеристики излучения инжекционных гетеролазеров на основе GaSb/GaAlAsSb”, Квантовая электроника, 10:11 (1983), 2352–2355 [A. S. Adlivankin, N. D. Zhukov, V. M. Raǐgorodskiǐ, S. A. Sosnovskiǐ, L. I. Shestak, “Characteristics of radiation emitted by GaSb/GaAlAsSb injection heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 13:11 (1983), 1532–1534 ] |
2
|
|
Обратная связь: