А. С. Адливанкин, H. Д. Жуков, В. М. Райгородский, С. А. Сосновский, Л. И. Шестак, “Характеристики излучения инжекционных гетеролазеров на основе GaSb/GaAlAsSb”, Квантовая электроника, 10:11 (1983), 2352–2355 [Sov J Quantum Electron, 13:11 (1983), 1532

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 11, страницы 2352–2355 (Mi qe4979)

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краткие сообщения

Характеристики излучения инжекционных гетеролазеров на основе GaSb/GaAlAsSb

А. С. Адливанкин, H. Д. Жуков, В. М. Райгородский, С. А. Сосновский, Л. И. Шестак

PDF полного текста (787 kB) Список цитирования (2)

Аннотация: Экспериментально исследуются излучательные характеристики инжекционных гетеролазеров в системе GaSb/GaAlAsSb в температурном диапазоне –70°C – +70°C. Обсуждается связь температурных зависимостей порогового тока и дифференциальной квантовой эффективности с температурными изменениями картины ближнего поля и внутренних параметров лазеров. Получен непрерывный режим генерации вплоть до температуры –10°C.

Поступила в редакцию: 08.02.1983

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, Volume 13, Issue 11, Pages 1532–1534
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1983v013n11ABEH004979

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.378.325

PACS: 42.55.Px

Образец цитирования: А. С. Адливанкин, H. Д. Жуков, В. М. Райгородский, С. А. Сосновский, Л. И. Шестак, “Характеристики излучения инжекционных гетеролазеров на основе GaSb/GaAlAsSb”, Квантовая электроника, 10:11 (1983), 2352–2355 [Sov J Quantum Electron, 13:11 (1983), 1532–1534]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe4979

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i11/p2352

Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	97
PDF полного текста:	59
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы