|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Е. В. Соловьева, М. Г. Мильвидский, А. И. Белогорохов, Г. И. Виноградова, Д. Т. Гогаладзе, Л. М. Долгинов, Н. В. Малькова, В. М. Новикова, А. Н. Осипова, “Влияние фазовых превращений на оптические и электрические свойства
эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 965–969  |
| 2. |
Д. Т. Гоголадзе, Л. М. Долгинов, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, В. М. Новикова, Е. В. Соловьева, Г. В. Шепекина, “Особенности жидкофазной эпитаксии и электрофизических свойств
эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As : Sb”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 475–478 |
| 3. |
Е. В. Соловьева, Д. Т. Гогаладзе, А. Н. Белогорохов, A. M. Долгинов, М. Г. Мильвидский, “Особенности фононного спектра эпитаксиальных слоев
In$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Письма в ЖТФ, 17:7 (1991), 21–24  |
|
1990 |
| 4. |
Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, Е. В. Соловьева, “Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1367–1370 |
| 5. |
М. А. Ильин, П. Ю. Карасев, М. Г. Мильвидский, Н. Г. Михайлова, А. Н. Пшеничная, “Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур
AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 800–804 |
|
1989 |
| 6. |
И. А. Ковальчук, А. В. Марков, М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский, “Формирование неоднородности состава кристаллов арсенида галлия,
обусловленной дислокациями”, ЖТФ, 59:2 (1989), 106–110 |
| 7. |
Г. И. Виноградова, Д. Т. Гогаладзе, А. М. Долгинов, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Е. В. Соловьева, “Об аномалиях электрофизических свойств эпитаксиальных слоев
In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As и их природе”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1177–1181 |
| 8. |
Ю. Ф. Бирюлин, Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, В. А. Писаревская, Е. В. Соловьева, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Об одной особенности донора — серы в GaP”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1070–1075 |
| 9. |
А. С. Брук, А. В. Говорков, М. Г. Мильвидский, Т. А. Нуллер, А. А. Шленский, Т. Г. Югова, “Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных
слоев GaAs, легированных Sn или Te”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 456–460 |
|
1988 |
| 10. |
А. В. Картавых, Е. С. Юрова, М. Г. Мильвидский, С. П. Гришина, И. А. Ковальчук, “Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs
при термообработках”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 2035–2038 |
| 11. |
А. С. Брук, А. В. Говорков, М. Г. Мильвидский, Е. В. Попова, А. А. Шленский, “Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев
в эпитаксиальных структурах арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1792–1795 |
| 12. |
А. В. Картавых, С. П. Гришина, М. Г. Мильвидский, Н. С. Рытова, И. В. Степанцова, Е. С. Юрова, “Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах
арсенида галлия, полученных методом Чохральского”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1004–1010 |
| 13. |
Ю. М. Бабицкий, Н. И. Горбачева, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин, В. П. Кузнецов, М. Г. Мильвидский, Б. М. Туровский, “Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии
с изовалентными примесями”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 307–312 |
|
1986 |
| 14. |
С. Ю. Карпов, М. Г. Мильвидский, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, “Жидкостная эпитаксия, контролируемая изменением температуры и тока
(ЖЭКИТТ)”, ЖТФ, 56:2 (1986), 353–360 |
| 15. |
Л. В. Мизрухин, М. Г. Мильвидский, Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцов, В. К. Шинкаренко, Н. И. Горбачева, “Уширение полос поглощения водородоподобных центров в кремнии
с изовалентными примесями”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1647–1653 |
| 16. |
А. С. Брук, А. В. Говорков, М. Г. Мильвидский, Е. В. Попова, А. А. Шленский, “Влияние термообработки на люминесцентные и электрофизические
параметры приповерхностных слоев монокристаллических пластин арсенида
галлия”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1588–1593 |
| 17. |
А. В. Марков, М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский, “О роли дислокаций в формировании свойств монокристаллов
полуизолирующего GaAs”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 634–640 |
| 18. |
В. Е. Кустов, М. Г. Мильвидский, Ю. Г. Семенов, Б. М. Туровский, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “Деформационные заряды изовалентных примесей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 270–274 |
|
1985 |
| 19. |
Ю. М. Бабицкий, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин, В. П. Кузнецов, М. Г. Мильвидский, “О поведении кислорода в кремнии, легированном изовалентными
примесями”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 1982–1985 |
| 20. |
М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский, В. Я. Резник, А. Н. Шершаков, “Определение рекомбинационной активности и глубины залегания
точечнообразных дефектов в кристаллах полупроводников методом наведенного
тока в растровом электронном микроскопе”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 38–43 |
|
1984 |
| 21. |
А. Г. Белов, А. И. Белогорохов, А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, Г. М. Зингер, М. А. Ильин, П. Ю. Карасев, М. Г. Мильвидский, Д. А. Рзаев, А. И. Рыскин, “Оптические свойства Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Sb$_{1-y}$”, Физика твердого тела, 26:1 (1984), 145–150 |
| 22. |
В. П. Авдеева, В. В. Безотосный, М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных
гетероструктур
GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)”, ЖТФ, 54:3 (1984), 551–557 |
| 23. |
М. Б. Каган, Т. Л. Любашевская, М. Г. Мильвидский, И. И. Наливайко, В. М. Тимашков, Н. П. Фатюшина, “Исследование влияния условий наращивания гетероструктуры
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs в системе МОС$-$AsH$_{3}{-}$H$_{2}$ на параметры
солнечных элементов (СЭ)”, ЖТФ, 54:1 (1984), 187–189 |
| 24. |
Е. В. Соловьева, Г. В. Лазарева, Б. М. Лейферов, А. Г. Лотоцкий, М. Г. Мильвидский, Н. С. Рытова, Э. А. Твирова, “Особенности дефектообразования в кремнии, содержащем изовалентную
примесь олова”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1573–1576 |
| 25. |
Ю. М. Бабицкий, Н. И. Горбачева, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин, М. Г. Мильвидский, Б. М. Туровский, “Генерация термодоноров в кремнии, легированном германием”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1309–1311 |
| 26. |
А. В. Марков, С. П. Гришина, М. Г. Мильвидский, С. С. Шифрин, “Комплексообразование и термостабильность электрофизических свойств монокристаллов полуизолирующего GaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 465–470 |
|
1983 |
| 27. |
Е. В. Соловьева, М. Г. Мильвидский, “Особенности дефектообразования в полупроводниках
при изовалентном легировании”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2022–2024 |
| 28. |
Ю. Ф. Бирюлин, Н. В. Ганина, М. Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция твердых растворов
GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 108–114 |
| 29. |
Д. Г. Андрианов, В. В. Каратаев, М. Г. Мильвидский, Ю. Б. Муравлев, “Исследование собственных точечных дефектов структуры в монокристаллах
арсенида галлия методом ядерного магнитного резонанса”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 93–96 |
|
1980 |
| 30. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм”, Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1990–1992 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148 ] |
2
|
|
1978 |
| 31. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Т. В. Бердникова, М. Г. Мильвидский, В. П. Орлов, Ю. К. Пантелеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2488–2489 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405] |
| 32. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, А. Н. Лапшин, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 703–704 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, A. N. Lapshin, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 416] |
19
|
| 33. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, А. Н. Лапшин, В. И. Лескович, Е. В. Матвеенко, М. Г. Мильвидский, “Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 126–128 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, A. N. Lapshin, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, M. G. Mil'vidskii, “Efficient room-temperature stimulated emission from a Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> semiconductor laser in the spectral range 1.8–2.4 μ”, Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 66–67] |
2
|
|
1976 |
| 34. |
Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, “Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)”, Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1381–1393 [L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, “Multicomponent semiconductor solid solutions and their laser applications (review)”, Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 747–753] |
11
|
| 35. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Чапнин, “Люминесценция и лазерный эффект в Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 3:4 (1976), 932–934 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Chapnin, “Luminescence and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Sov J Quantum Electron, 6:4 (1976), 507–508] |
5
|
| 36. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм”, Квантовая электроника, 3:2 (1976), 465–466 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “New uncooled injection heterolaser emitting in the 1.5–1.8 μ range”, Sov J Quantum Electron, 6:2 (1976), 257] |
11
|
|
1972 |
| 37. |
М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский, Б. А. Сахаров, С. С. Шифрин, “Образование дислокаций в совершенных монокристаллах под действием напряжений”, Докл. АН СССР, 207:5 (1972), 1109–1111 |
|
1969 |
| 38. |
В. Б. Освенский, Л. П. Холодный, М. Г. Мильвидский, “О влиянии легирующих примесей на анизотропию пластической деформации монокристаллов $\mathrm{GaAs}$”, Докл. АН СССР, 184:5 (1969), 1084–1087 |
|
1963 |
| 39. |
В. И. Фистуль, М. Г. Мильвидский, Э. М. Омельяновский, С. П. Гришина, “О форме нахождения примесей в сильнолегированных монокристаллах германия и кремния $n$-типа”, Докл. АН СССР, 149:5 (1963), 1119–1122 |
|
Обратная связь: