|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1984 |
| 1. |
В. П. Авдеева, В. В. Безотосный, М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных
гетероструктур
GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)”, ЖТФ, 54:3 (1984), 551–557   |
| 2. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см<sup>2</sup> при 300 K”, Квантовая электроника, 11:4 (1984), 645–646 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Injection InGaAsP/lnP lasers with a threshold current density of 0.5 kA/cm<sup>2</sup> at 300 К”, Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 439–441 ] |
3
|
| 3. |
М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, А. В. Иванов, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, А. А. Шелякин, Г. В. Шепекина, “Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 631–633 [M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, A. V. Ivanov, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, A. A. Shelyakin, G. V. Shepekina, “Three-layer waveguide InGaAsP/lnP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 431–432 ] |
1
|
|
1982 |
| 4. |
Л. М. Долгинов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, “О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1902–1904 [L. M. Dolginov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, “Temperature dependences of the emission characteristics of GaInPAs/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1237–1238 ] |
| 5. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1749 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Continuous-wave injection lasers emitting in the 1.5–1.6 μ range”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1127 ] |
|
1981 |
| 6. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1994–1996 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Mode composition of radiation from mesastripe GalnPAs–lnP heterojunction lasers buried in InP or GalnPAs”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1208–1209 ] |
2
|
|
1980 |
| 7. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм”, Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1990–1992 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148 ] |
2
|
|
1978 |
| 8. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Т. В. Бердникова, М. Г. Мильвидский, В. П. Орлов, Ю. К. Пантелеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2488–2489 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405] |
|
1976 |
| 9. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, Ю. В. Петрушенко, С. П. Прокофьева, В. П. Цыганов, Е. Г. Шевченко, “Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub> и Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub>”, Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2490–2494 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, Yu. V. Petrushenko, S. P. Prokof'eva, V. P. Tsyganov, E. G. Shevchenko, “Spontaneous and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub>, and Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 6:11 (1976), 1367–1369] |
|
1974 |
| 10. |
А. П. Богатов, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Гетеролазеры на основе твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> и Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2294–2295 [A. P. Bogatov, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “Heterojunction lasers made of Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> and Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1281] |
66
|
|
1971 |
| 11. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. И. Пантелеев, Е. Г. Шевченко, “Сравнение мгновенного и усредненного спектров излучения инжекционного лазера в режиме самопроизвольных пульсаций”, Квантовая электроника, 1971, № 5, 93–95 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, V. I. Panteleev, E. G. Shevchenko, “Comparison of the instantaneous and averaged emission spectra of an injection laser operating under spiking conditions”, Sov J Quantum Electron, 1:5 (1972), 500–502] |
3
|
|
Обратная связь: