Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Сорокин А Н

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 4
Научных статей: 4

Статистика просмотров:
Эта страница:82
Страницы публикаций:670
Полные тексты:320
Списки литературы:135

https://www.mathnet.ru/rus/person91833
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2016
1. А. А. Карпушин, А. Н. Сорокин, В. А. Гриценко, “Кремний-кремниевая Si–Si-связь как глубокая ловушка для электронов и дырок в нитриде кремния”, Письма в ЖЭТФ, 103:3 (2016),  189–193  mathnet  elib; A. A. Karpusin, A. N. Sorokin, V. A. Gritsenko, “Si-Si bond as a deep trap for electrons and holes in silicon nitride”, JETP Letters, 103:3 (2016), 171–174  isi  scopus 7
2014
2. А. А. Карпушин, А. Н. Сорокин, “Сдвиг порога фотоэмиссии в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ и A$_{2}$B$_{6}$”, Письма в ЖЭТФ, 99:6 (2014),  378–381  mathnet  elib; A. A. Karpusin, A. N. Sorokin, “Shift of the photoemission threshold in III–V and II–VI semiconductors”, JETP Letters, 99:6 (2014), 329–332  isi  elib  scopus
2013
3. А. Н. Сорокин, А. А. Карпушин, В. А. Гриценко, “Электронная структура SiN$_{x}$”, Письма в ЖЭТФ, 98:11 (2013),  801–805  mathnet  elib; A. N. Sorokin, A. A. Karpusin, V. A. Gritsenko, “Electronic structure of SiN$_x$”, JETP Letters, 98:11 (2013), 709–712  isi  elib  scopus 6
1984
4. Г. В. Гадияк, А. А. Карпушин, И. В. Короленко, Ю. Н. Мороков, А. Н. Сорокин, М. Томашек, “Адсорбция водорода на Si (111). Сравнение метода обобщенных решеток Бете и метода рекурсий”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1025–1028  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024