|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
| 1. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, “Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2119–2120  [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, “Injection InGaSbAs laser emitting at 2.4μ (300K)”, Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1397  ] |
2
|
|
1985 |
| 2. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1309–1311 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Injection InGaSbAs lasers emitting radiation of wavelengths 1.9–2.3μ at room temperature”, Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 869–870 ] |
26
|
|
1984 |
| 3. |
А. Г. Белов, А. И. Белогорохов, А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, Г. М. Зингер, М. А. Ильин, П. Ю. Карасев, М. Г. Мильвидский, Д. А. Рзаев, А. И. Рыскин, “Оптические свойства Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Sb$_{1-y}$”, Физика твердого тела, 26:1 (1984), 145–150 |
|
1980 |
| 4. |
Я. А. Аарик, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Я. Ф. Фриедентхаль, “Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 91–96 [Ya. A. Aarik, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, P. A. Lyuk, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, L. V. Friedentkhal', “Properties of AIGaAsSb–GaSb heterojunction injection lasers in the 1.4–1.8 $\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 50–53 ] |
9
|
|
1978 |
| 5. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, А. Н. Лапшин, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 703–704 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, A. N. Lapshin, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 416] |
19
|
| 6. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, А. Н. Лапшин, В. И. Лескович, Е. В. Матвеенко, М. Г. Мильвидский, “Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 126–128 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, A. N. Lapshin, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, M. G. Mil'vidskii, “Efficient room-temperature stimulated emission from a Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> semiconductor laser in the spectral range 1.8–2.4 μ”, Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 66–67] |
2
|
|
1976 |
| 7. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, Ю. В. Петрушенко, С. П. Прокофьева, В. П. Цыганов, Е. Г. Шевченко, “Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub> и Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub>”, Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2490–2494 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, Yu. V. Petrushenko, S. P. Prokof'eva, V. P. Tsyganov, E. G. Shevchenko, “Spontaneous and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub>, and Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 6:11 (1976), 1367–1369] |
| 8. |
Р. Алтынбаев, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As”, Квантовая электроника, 3:5 (1976), 1080–1084 [R. Altynbaev, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Investigation of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As injection heterolasers emitting visible radiation”, Sov J Quantum Electron, 6:5 (1976), 577–579] |
| 9. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Чапнин, “Люминесценция и лазерный эффект в Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 3:4 (1976), 932–934 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Chapnin, “Luminescence and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Sov J Quantum Electron, 6:4 (1976), 507–508] |
5
|
| 10. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм”, Квантовая электроника, 3:2 (1976), 465–466 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “New uncooled injection heterolaser emitting in the 1.5–1.8 μ range”, Sov J Quantum Electron, 6:2 (1976), 257] |
11
|
|
1974 |
| 11. |
А. П. Богатов, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Гетеролазеры на основе твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> и Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2294–2295 [A. P. Bogatov, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “Heterojunction lasers made of Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> and Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1281] |
66
|
| 12. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, Б. М. Степанов, “Параметры лазеров на Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As с электронной накачкой в видимой области спектра”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 178–180 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, Yu. V. Petrushenko, B. M. Stepanov, “Parameters of electron-beam-pumped <nobr>Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As</nobr> lasers in the visible part of the spectrum”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 104–105] |
|
Обратная связь: