|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1993 |
| 1. |
Н. Шохуджаев, И. Исмаилов, А. Файзуллаев, “Инжекционные лазеры из варизонных GaInAsP/InP-гетероструктур”, Квантовая электроника, 20:3 (1993), 219–221  [N. Shokhudzhaev, I. Ismailov, A. Faǐzullaev, “Injection lasers made from graded-interface GalnAsP/lnP heterostructures”, Quantum Electron., 23:3 (1993), 186–188  ] |
|
1988 |
| 2. |
Д. Ахмедов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Ресурсные характеристики гетеролазеров коротковолнового диапазона на основе гетероструктур GalnAsP/lnP”, Квантовая электроника, 15:2 (1988), 283–285 [D. Akhmedov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Service life characteristics of GaInAsP/InP heterostructure lasers emitting short-wavelength radiation”, Sov J Quantum Electron, 18:2 (1988), 178–180 ] |
|
1986 |
| 3. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1610–1616 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Influence of anlsotropic deformation on radiative characteristics of GaInAsP/InP injection lasers. II. Spectral characteristics and discussion”, Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1051–1055 ] |
4
|
| 4. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1603–1609 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Influence of anisotropic deformation on the radiative characteristics of GaInAsP/InP injection lasers. I. Lasing threshold, polarization, and wattampere characteristic”, Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1046–1050 ] |
7
|
| 5. |
Д. Ахмедов, В. П. Дураев, Е. В. Голикова, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Непрерывные инжекционные лазеры коротковолнового диапазона на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 13:1 (1986), 170–171 [D. Akhmedov, V. P. Duraev, E. V. Golikova, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Continuous-wave InGaAsP/InP injection lasers emitting short wavelengths”, Sov J Quantum Electron, 16:1 (1986), 108–109 ] |
|
1984 |
| 6. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Н. Шохуджаев, “Снижение порогового тока гетеролазеров на основе InGaAsP/InP при действии одностороннего сжатия”, Квантовая электроника, 11:8 (1984), 1665–1667 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, N. Shokhudzhaev, “Reduction of the threshold current of InGaAsP/lnP heterolasers by unidirectional compression”, Sov J Quantum Electron, 14:8 (1984), 1120–1121 ] |
11
|
|
1982 |
| 7. |
Д. Ахмедов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Получение и исследование гетеролазеров на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 9:12 (1982), 2402–2406 [D. Akhmedov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Fabrication and investigation of GaInPAs/InP heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 12:12 (1982), 1568–1570 ] |
|
1979 |
| 8. |
Р. Алтынбаев, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Г. Ли, Н. Шохуджаев, “Диодные имитаторы излучения твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 6:12 (1979), 2617–2618 [R. Altynbaev, P. G. Eliseev, I. Ismailov, G. Li, N. Shokhudzhaev, “Diode simulators of solid-state lasers”, Sov J Quantum Electron, 9:12 (1979), 1550–1551] |
| 9. |
Р. Алтынбаев, И. Исмаилов, Г. Ли, И. М. Цидулко, Н. Шохуджаев, “Исследование гетеролазеров и светодиодов на основе InP/lnGaPAs, излучающих в диапазоне 1,0–1,2 мкм”, Квантовая электроника, 6:11 (1979), 2436–2439 [R. Altynbaev, I. Ismailov, G. Li, I. Tsidulko, N. Shokhudzhaev, “Investigation of InP-lnGaPAs heterojunction lasers and light-emitting diodes operating in the 1.0–1.2 μ range”, Sov J Quantum Electron, 9:11 (1979), 1435–1437] |
|
1977 |
| 10. |
И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, Д. Ахмедов, П. Г. Елисеев, “Характеристики гетеролазеров видимого диапазона на основе n-GaP<sub>x</sub> As<sub>1–x</sub>–pGa<sub>1–y</sub>Al<sub>y</sub>P<sub>x</sub>As<sub>1–x</sub>”, Квантовая электроника, 4:8 (1977), 1821–1823 [I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, D. Akhmedov, P. G. Eliseev, “Characteristics of n-GaP<sub>x</sub> As<sub>1–x</sub>–pGa<sub>1–y</sub>Al<sub>y</sub>P<sub>x</sub>As<sub>1–x</sub> heterojunction lasers emitting visible radiation”, Sov J Quantum Electron, 7:8 (1977), 1039–1040] |
|
1976 |
| 11. |
Р. Алтынбаев, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As”, Квантовая электроника, 3:5 (1976), 1080–1084 [R. Altynbaev, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Investigation of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As injection heterolasers emitting visible radiation”, Sov J Quantum Electron, 6:5 (1976), 577–579] |
|
1975 |
| 12. |
И. Исмаилов, А. Садиев, Р. Алтынбаев, Н. Шохуджаев, “Характеристики диффузионных лазерных диодов на основе IпР и lnP<sub>x</sub>As<sub>1–x</sub>”, Квантовая электроника, 2:4 (1975), 814–819 [I. Ismailov, A. Sadiev, R. Altynbaev, N. Shokhudzhaev, “Characteristics of diffused InP and lnP<sub>x</sub>As<sub>1–x</sub> laser diodes”, Sov J Quantum Electron, 5:4 (1975), 451–454] |
2
|
|
1974 |
| 13. |
И. Исмаилов, А. Садиев, Н. Шохуджаев, “Инжекционный лазер на основе соединения lnP<sub>0,92</sub>As<sub>0,08</sub>”, Квантовая электроника, 1:8 (1974), 1875–1877 [I. Ismailov, A. Sadiev, N. Shokhudzhaev, “lnP<sub>0.92</sub>As<sub>0.08</sub> injection laser”, Sov J Quantum Electron, 4:8 (1975), 1046–1047] |
|
Обратная связь: